概述
HMC977是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益、2.7 dB的噪声系数和21 dBc的镜像抑制性能。 HMC977LP4E采用LNA,后接由有源x2倍频器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器,并可消除镜像频率下的热噪声。 它具有I和Q混频器输出,所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。 HMC977LP4E是混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件,兼容表贴制造技术。
数据表:*附件:HMC977 I Q下变频器,采用SMT封装,20-28GHz技术手册.pdf
特性
应用
框图
引脚配置描述
接口示意图
典型性能特征
应用信息
图52显示了HMC977的典型应用电路。为了选择合适的边带,需要一个外部90°混合耦合器。对于不需要todc操作的应用,使用片外隔直电容。每个IF端口的共模电压为0 V。
要选择下边带,将IF2引脚连接到混合器的90端口,将IFl引脚连接到混合器的0端口。要选择上边带(低端LO),将IF2引脚连接到混合器的0端口,将IFl引脚连接到混合器的90端口。
评估PCB
建议将RF电路设计技术与应用中使用的电路板结合使用。信号线必须具有50ω阻抗,封装接地引脚和裸露焊盘必须直接连接到接地层,如图54所示。必须使用足够数量的过孔来连接顶部和底部接地层。ADI公司可应要求提供图53所示的评估电路板。
将HMC977底面的裸露焊盘焊接到低热阻抗和电阻阻抗接地层。该焊盘通常焊接到评估板上阻焊膜的裸露开口上。将这些接地过孔连接到评估板上的所有其它接地层,以最大限度地提高器件封装的散热性能。图54显示了HMC977评估板的PCB板尺寸。
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