HMC8192 20GHz至42GHz，宽带I/Q混频器技术手册

概述

HMC8192是一款无源、宽带、同相/正交(I/Q)、单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8192LG具有20 GHz至42 GHz的射频(RF)和本振(LO)范围以及DC至5 GHz的中频(IF)带宽，非常适合需要宽频率范围、出色RF性能、简单设计以及更少元件和小尺寸印刷电路板(PCB)的应用。单个HMC8192LG可取代设计中的多个窄带混频器。

HMC8192LG的固有I/Q架构具有出色的镜像抑制能力，而无需进行成本高昂的干扰边带滤波。该混频器还提供出色的LO至RF和LO至IF隔离性能，并降低了LO泄漏的影响以确保信号完整性。

作为一款无源混频器，HMC8192LG无需任何直流电源。相比有源混频器，HMC8192LG提供较低的噪声系数，从而确保针对高性能和精密应用具有出色的动态范围。

HMC8192LG采用砷化镓(GaAs)、金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，使用ADI公司的混频器单元和90°混合器件。HMC8192LG提供紧凑型、4.00 mm × 4.00 mm、25引脚基板栅格阵列腔(LGA_CAV)封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。HMC8192LG评估板EV1HMC8192LG还可通过ADI公司网站获得。
数据表：*附件：HMC8192 20GHz至42GHz，宽带I Q混频器技术手册.pdf
特性

• 无源宽带I/Q混频器
• RF和LO范围：20 GHz至42 GHz
• 宽IF带宽：DC至5 GHz
• 单端RF、LO和IF
• 转换损耗：9 dB（典型值，20 GHz至32 GHz）
• 镜像抑制：25 dBc（典型值，20 GHz至32 GHz）
• 噪声系数：12 dB（典型值）
• 输入IP3（下变频器）：24 dBm（典型值，20 GHz至32 GHz）
• 输入P1dB（下变频器）压缩：17 dBm（典型值，20 GHz至32 GHz）
• 输入IP2：55 dBm（典型值，20 GHz至32 GHz）
• LO至RF隔离：42 dB，20 GHz至32 GHz
• LO至IFx隔离：45 dB，20 GHz至32 GHz
• RF至IF隔离：35 dB，20 GHz至32 GHz
• 幅度平衡：±1 dB（典型值）
• 相位平衡（下变频器）：±8°（典型值）
• RF回波损耗：12 dB（典型值）
• LO回波损耗：10 dB（典型值）
• IFx回波损耗：20 dB（典型值）
• 裸露焊盘、4.00 mm × 4.00 mm、25引脚LGA_CAV封装

应用

• 测试与测量仪器仪表
• 军事、雷达、航空航天和防务应用
• 微波点对点基站

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用
图49展示了HMC8192 - Die的典型应用电路。若要选择下边带，将IF1引脚连接到90°混合耦合器的0°端口，IF2引脚连接到90°端口。输入连接到混合耦合器的和端口，差分端口端接50Ω。为选择合适的边带，需要一个外部90°混合耦合器。对于直流应用，不需要隔直电容。

若要抑制输出端的本振（LO）信号，如图49所示，使用偏置器或射频（RF）馈电。确保每个IFx的电流消耗小于3毫安，以防止器件损坏。每个IFx端口的共模电压为0V。

当HMC8192 - Die用作下变频器时，若要选择上边带（低侧本振），将IF1引脚连接到90°混合耦合器的0°端口，IF2引脚连接到90°端口。若要选择下边带（高侧本振），将IF1引脚连接到90°混合耦合器的90°端口，IF2引脚连接到0°端口。输出连接到混合耦合器的和端口，差分端口端接50Ω。

当HMC8192 - Die用作上变频器时，若要选择上边带，将IF1引脚连接到90°混合耦合器的90°端口，IF2引脚连接到0°端口。