HMC554ACHIPS 10GHz至20GHz GaAs MMIC双平衡混频器技术手册

概述
HMC554ACHIPS 是一款通用型双平衡混频器，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制成，不需要外部组件或匹配电路。HMC554ACHIPS 经优化的平衡/不平衡转换器结构可提供高的本机振荡器 (LO) 至 RF 隔离和 LO 至中频 (IF) 隔离 (分别为 38 dB 和 52 dB)。
数据表：*附件：HMC554ACHIPS 10GHz至20GHz GaAs MMIC双平衡混频器技术手册.pdf

特性

• 高达 8.5 dB（典型值）的转换损耗
• LO 到 RF 隔离：38 dB（典型值）
• 高达 20 dBm（典型值）的输入 IP3
• 符合 RoHS 标准的 7 焊盘裸片 CHIP

应用

• 微波和甚小孔径终端 (VSAT) 射频
• 测试设备
• 军事电子战 (EW)、电子对抗 (ECM) 以及指挥、控制、通信和情报 (C3I)

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息
图84显示了HMC554ACHIPS的典型应用电路。HMC554ACHIPS是一款无源器件，不需要任何外部元件。IF焊盘内部直流耦合，RF和LO焊盘内部交流耦合。当不需要直流中频工作时，建议使用一个外部串联电容，所选电容值可通过必要的中频频率范围。需要中频工作至直流时，请勿超过“绝对最大额定值”部分中规定的中频源电流和吸电流。

将芯片以共晶方式或使用导电环氧树脂直接连接到接地层。为了使RF进出芯片，建议在0.127 mm (0.005 ")厚的氧化铝薄膜基板上放置50条2微带传输线(见图85)。如果使用0.254毫米(0.010英寸)厚的氧化铝薄膜基板，将模具抬高0.150毫米(0.006英寸)，使模具表面与基板表面平齐。一种方法是将0.102毫米(0.004英寸)厚的芯片连接到0.150毫米(0.006英寸)厚的钼散热器(钼片)，然后将钼散热器连接到接地层(见图86)。将微带基板尽可能靠近芯片放置，以最小化焊线长度。典型的芯片到基板的间距为0.076毫米(0.003英寸)。