HMC521ALC4 GaAs MMIC I/Q混频器8.5-13.5GHz技术手册

概述
HMC521ALC4是一款紧凑型、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器，采用符合RoHS标准的24引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准、双平衡混频器单元和一个90°混合耦合器，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺。低频正交混合器件用于产生100 MHz中频(IF)输出。该器件为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。HMC521ALC4无需线焊，可以使用表贴制造技术。
数据表：*附件：HMC521ALC4 GaAs MMIC I Q混频器8.5-13.5GHz技术手册.pdf

特性

• 下变频器，8.5 GHz至13.5 GHz
  • 转换损耗：9 dB（典型值）
  • 镜像抑制：27.5 dBc（典型值）
  • LO至RF隔离：39 dB（典型值）
  • 输入IP3：16 dBm（典型值）
• 宽IF带宽：DC至3.5 GHz
• 3.9 mm × 3.9 mm、24引脚LCC封装：16 mm^²^

应用

• 微波和甚小孔径终端(VSAT)无线电
• 测试设备
• 军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)、以及指挥、控制、通信和情报(C3I)

功能框图

引脚配置描述

接口示意图

典型应用电路

图86展示了HMC521ALC4的典型应用电路。HMC521ALC4是一款无源混频器，不需要任何外部组件。本振（LO）和射频（RF）引脚内部交流耦合，中频（IFx）引脚内部直流耦合。

对于需要中频端口去耦的应用，需使用一个串联电容。如果选择该电容是为了通过必要的IF频率范围，在IFx源和吸收电流额定值规定的范围内，无需阻塞直流。

当HMC521ALC4用作上变频器时，若要选择上边带，将IF1引脚连接到90°混合耦合器的90°端口，IF2引脚连接到0°端口。若要选择下边带，将IF1引脚连接到0°端口，IF2引脚连接到90°端口。输入来自混合耦合器的和端口，差分端口端接50Ω。

当用作下变频器时，若要选择上边带（低侧本振），将IF1引脚连接到0°端口，IF2引脚连接到90°端口。若要选择下边带（高侧本振），将IF1引脚连接到90°端口，IF2引脚连接到0°端口。输出连接到混合耦合器的和端口，差分端口端接50Ω。

评估印刷电路板（PCB）信息

应用中使用的电路板需采用射频（RF）电路设计技术。确保接地线具有50Ω的阻抗，并将封装接地引脚直接连接到接地层（见图87）。使用足够数量的过孔来连接顶层和底层接地层。图87中所示的由亚德诺半导体（Analog Devices, Inc.）提供的评估电路板，可按需获取。