HMC908A 9GHz至12 GHz，GaAs，MMIC，I/Q下变频器技术手册

概述
HMC908A 是一款紧凑型砷化镓 (GaAs) 微波单片集成电路 (MMIC) 同相/正交 (I/Q) 下变频器，此器件采用符合 RoHS 指令的陶瓷无引线芯片载体。此器件提供 11 dB 的小信号转换增益，噪声指数为 2 dB，100 MHz 时的镜像抑制为 25 dB。HMC908A 在低噪声放大器 (LNA) 之后使用镜像抑制混频器，该混频器由本地振荡器 (LO) 缓冲放大器驱动。借助镜像抑制混频器，LNA 后面不再需要使用滤波器，并且消除了镜频下的热噪声。提供 I 和 Q 混频器输出，并需要使用外部 90° 混合模式选择所需的边带。HMC908A 是混合式镜像抑制混频器下变频器组件的替代方案，但外形大大缩小，且可以使用表面安装制造技术，无需线焊。
数据表：*附件：HMC908A 9GHz至12 GHz，GaAs，MMIC，I Q下变频器技术手册.pdf

应用

• 点对点无线电
• 单点对多点无线电和甚小孔径终端 (VSAT)
• 测试设备和传感器
• 军事最终用途

特性

• 转换增益：IF~OUT = 100 MHz 时为 11 dB（典型值）
• 镜像抑制：IF~OUT= 100 MHz 时为 25 dB（典型值）
• LO 到 RF 隔离：46 dB（典型值）
• LO 到 IF 隔离：26 dB（典型值）
• IF 输出频率：直流至 3.5 GHz
• 32 引脚 4.9 mm × 4.9 mm 陶瓷无引线芯片载体

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息
图81展示了HMC908A的典型应用电路。要选择合适的边带，需要一个外部90°混合耦合器。对于不需要对直流进行操作的应用，可以关闭芯片上的去耦电容。对于需要本振（LO）信号抑制的应用，可以使用一个偏置T或射频扼流圈。确保用于本振抑制的源电流或灌电流在每个中频（IF）端口处小于5 mA，以防止对器件造成损坏。中频端口的共模电压为0 V。

要选择上边带（低本振），将IF1引脚连接到混合耦合器的0°端口，并将IF2引脚连接到混合耦合器的90°端口。要选择下边带（高本振），将IF1引脚连接到混合耦合器的90°端口，并将IF2引脚连接到混合耦合器的0°端口。混合耦合器的输出是来自和端口的信号，差分端口接50Ω 终端。

应用中使用的EV1HMC908ALC5评估印刷电路板（PCB）必须采用射频电路设计技术。信号线必须具有50Ω 阻抗，并且设计的封装焊盘引线与图82所示的接地平面直接相连。使用足够数量的过孔，将顶层和底层接地平面连接起来。图82所示的评估电路板可应要求从亚德诺半导体（Analog Devices）获取。

布局

将HMC908A底面的外露焊盘焊接到低导热和低导电的接地平面上。该焊盘通常焊接到评估板阻焊层上的一个开孔处。将这些接地过孔连接到评估板上的所有其他接地层，以最大程度地减少器件封装的散热。图80展示了EV1HMC908ALC5评估板的PCB焊盘图案轮廓。