HMC329ALC3B GaAs MMIC基波混频器,24-32GHz技术手册

描述

概述
HMC329ALC3B是一款通用型双平衡混频器,采用无引脚RoHS兼容型SMT封装,可用作24至32 GHz范围内的上变频器或下变频器。 此混频器无需外部元件或匹配电路。 HMC329ALC3B采用经过优化的初始巴伦结构,提供出色的LO至RF及LO至IF抑制性能。 该混频器采用高于+9 dBm的LO驱动电平工作。 HMC329ALC3B无需线焊,可以使用表贴制造技术。
数据表:*附件:HMC329ALC3B GaAs MMIC基波混频器,24-32GHz技术手册.pdf

应用

  • 点对点无线电
  • 点对多点无线电和VSAT
  • 测试设备和传感器
  • 军用最终用途

特性

  • 转换损耗(下变频器):11 dB(典型值)
  • LO至RF隔离:36.5 dB(典型值,24 GHz至30 GHz性能)
  • 输入IP3(下变频器):20 dBm(典型值)
  • 符合RoHS标准的12引脚、3 mm × 3 mm LCC封装

框图
变频器

引脚配置描述
变频器

接口示意图
变频器

典型性能特征
变频器

典型应用电路

图 73 展示了 HMC329ALC3B 的典型应用电路。HMC329ALC3B 是一款无源器件,不需要任何外部组件。本振(LO)引脚和射频(RF)引脚内部采用交流耦合,中频(IF)引脚内部采用直流耦合。对于不使用直流操作的应用,通过外部串联电容来选择合适的隔直端口,电容值需选择能通过必要的中频频率范围的数值。如果需要直流操作,中频源电流和灌电流不要超过 “绝对最大额定值” 部分中规定的额定值。

评估印刷电路板(PCB)信息

在应用中使用的电路板需采用射频电路设计技术。确保信号线具有 50Ω 的阻抗,并将封装引脚和外露焊盘直接连接到接地层(见图 74)。使用足够数量的过孔连接顶层和底层接地层。图 74 所示的评估电路板可应要求从亚德诺半导体(Analog Devices, Inc.)获取。

变频器

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