HMC774A GaAs MMIC基波混频器，7-43GHz技术手册

概述
HMC774A是一款通用型砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、双平衡混频器芯片，可用作7 GHz至40 GHz频率范围内的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。

HMC774A采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)抑制性能。该混频器采用13 dBm的LO驱动电平工作，具备出色的性能。HMC774A还可作为表贴技术形式的HMC774ALC3B提供。
数据表：*附件：HMC774A GaAs MMIC基波混频器，7-43GHz技术手册.pdf

应用

• 点对点无线电
• 点对多点无线电和甚小孔径终端(VSAT)
• 测试设备和传感器
• 军用最终用途

特性

• 下变频器
  • 变频损耗
    • 10.5 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
    • 11 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
  • LO至RF隔离
    • 34 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
    • 32 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
  • LO至IF隔离
    • 32 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
    • 50 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
  • LO至IF隔离
    • 14 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
    • 29 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
• IP3：20 dBm（典型值）
• IP2：40 dBm（典型值）
• 针对P1dB的输入功率
  • 11 dBm（典型值，7 GHz至22 GHz）
  • 12 dBm（典型值，22 GHz至40 GHz）
• IF频率范围：DC至10
• 无源，无需直流偏置
• 小尺寸：1.38 mm × 0.81 mm × 0.102 mm

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

典型应用电路

图40展示了HMC774A的典型应用电路。HMC774A是一款无源器件，不需要任何外部组件。本振（LO）引脚和射频（RF）引脚内部采用交流耦合。当直到直流（dc）才需要中频（IF）操作时，建议在中频端口使用一个交流耦合电容。

毫米波砷化镓单片微波集成电路 （MMIC）的安装与键合技术

使用共晶焊接或导电环氧树脂将芯片直接连接到接地层。

为了将射频信号引入和引出芯片，在厚度为0.127毫米（0.005英寸）的氧化铝薄膜基板上使用50欧姆的微带传输线（见图42）。

如果使用0.254毫米（0.010英寸）厚的氧化铝薄膜基板，需将芯片抬高0.150毫米（0.005英寸）， 使芯片表面与基板表面共面。

实现共面的一种方法是将0.102毫米（0.004英寸）厚的芯片连接到0.150毫米（0.005英寸）厚的钼散热片（钼片）上，然后将钼片连接到接地层（见图43）。

微带基板应尽可能靠近芯片，以尽量缩短键合线的长度。芯片与基板之间的典型间距为0.076毫米（0.003英寸）。建议使用宽度为0.076毫米（0.003英寸）且最小长度小于0.31毫米（小于0.012英寸）的键合线，以尽量减小射频、本振和中频端口上的电感 。