HMC554ALC3B 10GHz至20GHz GaAs MMIC双平衡混频器技术手册

描述

概述
HMC554ALC3B 是一款通用型双平衡混频器,采用符合 RoHS 指令的无引线芯片载体 (LCC) 封装,可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制成,不需要外部元件和匹配电路。HMC554ALC3B 采用优化的平衡/不平衡转换器结构,因此可提供出色的本地振荡器 (LO) 到 RF 和 LO 到中频 (IF) 隔离性能。符合 RoHS 指令的 HMC554ALC3B 消除了对线焊的需求,并与大批量表面贴装制造技术兼容。
数据表:*附件:HMC554ALC3B 10GHz至20GHz GaAs MMIC双平衡混频器技术手册.pdf

应用

  • 微波无线电和甚小孔径终端 (VSAT) 无线电
  • 测试设备
  • 军事电子战 (EW);电子对抗 (ECM);以及指挥、控制、通信和情报 (C3I)
    特性
  • 转换损耗:8.5 dB
  • LO 到 RF 隔离:37 dB
  • 输入 IP3:20 dBm
  • 符合 RoHS 指令的 2.90 mm × 2.90 mm 12 端子 LCC 封装

框图
MESFET

引脚配置描述
MESFET

接口示意图
MESFET

典型性能特征
MESFET

应用信息

典型应用电路

图84展示了HMC554ALC3B的典型应用电路。HMC554ALC3B是一款无源器件,不需要任何外部组件。中频(IF)引脚内部采用直流耦合。射频(RF)引脚和本振(LO)引脚内部采用交流耦合。如果不需要直流的中频操作,建议使用一个外部串联电容。当选择通过中频的频率范围时,如果指定了直流中频操作,请勿超过中频源和汇流的电流额定值。

评估印刷电路板(PCB)信息

在应用中使用的电路板请采用射频电路设计技术。确保信号线具有50Ω的阻抗,并直接连接到封装接地引脚,同时将外露焊盘直接连接到接地层(见图84)。使用足够数量的过孔连接顶层和底层接地层。图85中所示的评估电路板可从亚德诺半导体(Analog Devices)获得。
MESFET

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