HMC292A 14GHz至32GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器技术手册

概述
HMC292A芯片是一款微型、无源、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、双平衡混频器，可用作14 GHz至32 GHz RF频率范围内的上变频器或下变频器，芯片面积较小。片内巴伦提供出色的隔离性能，无需外部元件和直流偏置。所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.076 mm（0.003英寸）、最小长度小于0.31 mm（小于0.012英寸）的焊线连接。
数据表：*附件：HMC292A 14GHz至32GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器技术手册.pdf

应用

• 微波和甚小孔径终端(VSAT)无线电
• 测试设备
• 点对点无线电
• 军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)、以及指挥、控制、通信和情报(C3I)

特性

• 无源： 无需直流偏置
• 转换损耗（下变频器）：9 dB（典型值，14 GHz至30 GHz时）
• 单边带噪声指数：11 dB（典型值，14 GHz至30 GHz时）
• 输入IP3（下变频器）：20 dBm（典型值，14 GHz至30 GHz时）
• 输入P1dB压缩点（下变频器）：12 dBm（典型值，14 GHz至30 GHz时）
• 输入IP2：53 dBm（典型值，14 GHz至30 GHz时）
• RF至IF隔离：30 dB（典型值，14 GHz至30 GHz时）
• LO至RF隔离：46 dB（典型值，14 GHz至30 GHz时）
• LO至IF隔离：34 dB（典型值，14 GHz至30 GHz时）
• RF回波损耗：10 dB（典型值，14 GHz至30 GHz时）
• LO回波损耗：9 dB（典型值，14 GHz至30 GHz时）
• 宽IF频率范围：DC至8 GHz
• 小尺寸：7焊盘裸片[芯片]

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息

图 35 展示了 HMC292A 的典型应用电路。HMC292A 是一款无源器件，不需要任何外部组件。本振（LO）引脚和射频（RF）引脚在内部进行交流耦合。中频（IF）引脚在内部进行直流耦合。若不需要直流的中频操作，使用一个外部串联电容。选择一个处于必要中频频率范围内的值。

装配图
图36显示了组装图。

毫米波GaAs单片集成电路的安装和键合技术

安装与连接技术

使用共晶焊接或导电环氧树脂将芯片直接连接到接地层。

为了将射频信号引入或引出芯片，在厚度为0.127毫米（0.005英寸）的氧化铝薄膜基板上使用50欧姆的微带传输线（见图37）。

如果必须使用0.254毫米（0.010英寸）厚的氧化铝薄膜基板，需将芯片抬高0.150毫米（0.006英寸），使芯片表面与基板表面共面。

实现此目的的一种方法是将0.102毫米（0.004英寸）厚的芯片连接到0.150毫米（0.006英寸）厚的钼散热片（钼片）上，然后再将钼片连接到接地层（见图38）。

微带基板应尽可能靠近芯片，以尽量缩短键合线的长度。芯片与基板之间的典型间距为0.076毫米（0.003英寸）。建议使用宽度为0.076毫米（0.003英寸）且最小长度小于0.31毫米（小于0.012英寸）的金丝键合线，以尽量减小射频、本振和中频端口上的电感。