TPS51225 具有 5V 和 3.3V LDO 的 5.5V 至 24V、双同步降压控制器数据手册

描述

TPS51225/B/C 是一款高性价比的双同步降压控制器,适用于: 笔记本电脑系统 - 电源解决方案。它提供 5V 和 3.3V LDO,并且几乎不需要外部 组件。260kHz VCLK 输出可用于驱动外部电荷泵,生成栅极 驱动负载开关的电压,而不会降低主转换器的效率。这 TPS51225/B/C 支持高效率、快速瞬态响应,并提供组合电源就绪 信号。自适应导通时间 D-CAP™ 控制提供方便高效的作。设备 在 5.5 V 至 24 V 的电源输入电压范围内工作,并支持 5.0 V 的输出电压 和 3.3 V。TPS51225/B/C 采用 20 引脚、3 mm × 3 mm QFN 封装,并指定 从 –40°C 到 85°C。
*附件:tps51225 具有 5V 和 3.3V LDO 的双通道同步降压控制器数据表.pdf

特性

  • 输入电压范围:5.5 V 至 24 V
  • 输出电压:5 V 和 3.3 V(可调范围 ±10%)
  • 内置 100mA、5V 和 3.3V LDO
  • 用于电荷泵的时钟输出
  • ±1% 基准准确度
  • 具有 300kHz/355kHz 频率设置的自适应导通时间 D-CAP 模式控制架构
  • 自动跳过轻负载作 (TPS51225/C)
  • OOA 轻载运行 (TPS51225B)
  • 内部 0.8ms 电压伺服软启动
  • 低侧 R DS(开) 温度系数为 4500 ppm/°C 的电流传感方案
  • 内置 Output Discharge 功能
  • 用于开关的单独使能输入 (TPS51225/B/C)
  • 专用 OC 设置端子
  • 电源良好指示灯
  • OVP/UVP/OCP 保护
  • 非锁存 UVLO/OTP 保护
  • 20 引脚、3 mm × 3 mm、QFN (RUK)

参数
电荷泵

方框图

电荷泵

1. 产品概述

  • 名称‌:TPS51225
  • 类型‌:双通道同步降压控制器,集成5V和3.3V LDO(低压差线性稳压器)
  • 应用‌:适用于笔记本电脑、上网本和平板电脑等系统的电源供应解决方案

2. 主要特性

  • 输入电压范围‌:5.5V至24V
  • 输出电压‌:5V和3.3V(可调范围±10%)
  • 集成LDO‌:内置100mA的5V和3.3V LDO,提供稳定的参考电压和门驱动电压
  • 高效率‌:支持自适应导通时间D-CAP™模式控制,提高轻载和重载下的效率
  • 多种工作模式‌:包括自动跳频轻载模式(TPS51225/C)和非音频轻载模式(TPS51225B)
  • 保护功能‌:过压保护(OVP)、欠压保护(UVP)、过流保护(OCP)和电源良好(PGOOD)指示

3. 电气特性

  • 工作温度范围‌:-40°C至85°C
  • PWM频率‌:CH1(5V输出)为300kHz,CH2(3.3V输出)为355kHz
  • 软启动时间‌:0.91ms(从ENx="Hi"且VREG5>UVLO到VOUT=95%)
  • 内部参考电压‌:2.00V(典型值)
  • LDO输出电压‌:VREG5为5.0V,VREG3为3.3V(典型值)

4. 功能描述

  • 自适应导通时间控制‌:根据输入和输出电压自动调整导通时间,保持稳定的PWM频率
  • 轻载模式‌:TPS51225/C支持自动跳频轻载模式,TPS51225B支持非音频轻载模式,提高轻载下的效率
  • 软启动和放电‌:内置0.8ms电压伺服软启动,平滑控制输出电压;关闭时通过内部MOSFET放电输出电容
  • 电源良好指示‌:提供PGOOD信号,指示输出电压是否达到稳定状态

5. 保护机制

  • 过压保护(OVP) ‌:当VFBx电压达到OVP阈值时,关闭PWM输出,保护电路不受损坏
  • 欠压保护(UVP) ‌:当VFBx电压低于UVP阈值持续一定时间时,关闭PWM输出并放电输出电容
  • 过流保护(OCP) ‌:监测电感电流,超过设定值时关闭PWM输出,防止电流过大损坏电路

6. 封装与订购信息

  • 封装类型‌:20引脚QFN封装(3mm×3mm)
  • 订购选项‌:包括不同封装类型和输出配置选项,如TPS51225RUKR(3000片装带和卷轴)、TPS51225BRUKT(250片装迷你卷轴)等

7. 应用指南

  • 典型应用电路‌:提供详细的电路连接图,指导用户如何连接输入电源、输出电容、电感和MOSFET等外部组件
  • 外部组件选择‌:提供电感、输出电容和电流感应电阻等外部组件的选择指南
  • PCB布局建议‌:提供PCB布局建议,以减少噪声干扰和提高电源供应的稳定性

8. 注意事项

  • 静电防护‌:处理IC时应采取适当的静电防护措施,避免损坏MOS栅极
  • 散热管理‌:确保足够的散热措施,以降低结温并提高系统可靠性
  • 配置和测试‌:在首次使用前,需根据应用需求配置相关参数,并进行充分的测试验证
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