HMC524ALC3B GaAs MMIC I/Q混频器技术手册

概述

HMC524ALC3B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q混频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT陶瓷封装。 该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。 低频正交混合器件用于产生100 MHz IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC524ALC3B无需线焊，可以使用表贴制造技术。
数据表：*附件：HMC524ALC3B GaAs MMIC I Q混频器技术手册.pdf

特性

• 无源：无需直流偏置
• 转换损耗： 9 dB
• 镜像抑制： 20 dB（典型值）
• LO至RF隔离：35 dB（典型值）
• LO至IF隔离：25 dB（典型值）
• IP3：18 dBm（典型值）
• P1dB：17 dBm（典型值）
• 中频引脚频率：DC − 4.5 GHz
• 12引脚、3 mm × 3 mm SMT陶瓷封装

应用

• 点对点和点对多点无线电
• VSAT
• 测试设备和传感器
• 军用最终用途

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息

图80展示了HMC524ALC3B的典型应用电路。为选择合适的边带，需要一个外部90°混合耦合器。对于不需要直流工作的应用，使用片外隔直电容。对于需要抑制输出端本振信号的应用，如图80所示，使用偏置三通或射频馈电。确保每个中频(IF)端口用于本振抑制的源电流或灌电流小于2毫安，以防止损坏器件。每个中频端口的共模电压为0V。

若用作上变频器来选择上边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的90°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的0°端口。若选择下边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的0°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的90°端口。输入来自混合耦合器的差端口，并接50Ω终端。

若用作下变频器且本振处于低端（low - side LO）来选择上边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的0°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的90°端口。若本振处于高端（high - side LO）来选择下边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的90°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的0°端口。输出来自混合耦合器的和端口，差端口接50Ω终端。

应用中使用的EVHMC524ALC3B评估印刷电路板（PCB）必须采用射频电路设计技术。信号线必须具有50Ω阻抗，并将封装接地引脚和外露焊盘直接连接到接地层，如图82所示。使用足够数量的过孔连接顶层和底层接地层。图82中的评估电路板可根据需求从亚德诺半导体（Analog Devices, Inc.）获取。

布局

将HMC524ALC3B底面的外露焊盘焊接到具有低热阻和低电阻抗的接地平面上。此焊盘通常焊接到评估板上的外露开口阻焊层上。将这些接地过孔连接到所有其他接地层，并连接封装接地引脚和外露焊盘，以实现最大散热效果。图81展示了EVHMC524ALC3B评估板的PCB焊盘图形和封装尺寸。
图81. EVHMC524ALC3B的PCB焊盘图形和封装尺寸