HMC553ALC3B 6GHz至14GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器技术手册

概述
HMC553ALC3B是一款通用型双平衡、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装。HMC553ALC3B可用作频率范围为6 GHz至14 GHz的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。

HMC553ALC3B采用经过优化的巴伦结构，提供本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)抑制性能。混频器采用的LO驱动电平范围为9 dBm至15 dBm。HMC553ALC3B无需线焊，可以使用表贴制造技术。
数据表：*附件：HMC553ALC3B 6GHz至14GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器技术手册.pdf

应用

• 微波和甚小孔径终端(VSAT)无线电
• 测试设备
• 点对点无线电
• 军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)、以及指挥、控制、通信和情报(C3I)

特性

• 无源：无需直流偏置
• 转换损耗：7 dB（典型值，6 GHz至11 GHz时）
• 输入IP3：18 dBm（典型值，6 GHz至11 GHz时）
• LO至RF隔离：36 dB（典型值）
• 宽IF带宽：DC至5 GHz
• 符合RoHS标准的12引脚、2.90 mm × 2.90 mm LCC封装

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型应用电路

图82展示了HMC553ALC3B的典型应用电路。HMC553ALC3B是一款无源器件，不需要任何外部组件。本振（LO）引脚和射频（RF）引脚内部采用交流耦合，中频（IF）引脚内部采用直流耦合。当不需要直流的中频操作时，建议使用一个外部串联电容，电容值的选择应能使所需的中频频率范围通过。当需要直流的中频操作时，不要超过“绝对最大额定值”部分中规定的中频源电流和灌电流额定值。

在应用中所使用的电路板需采用射频电路设计技术。确保信号线具有50Ω的阻抗，并将封装接地引脚和外露焊盘直接连接到接地层（见图83）。使用足够数量的过孔连接电路板的顶层和底层接地层。图83中的评估电路板可根据需求从亚德诺半导体（Analog Devices, Inc.）获取。