ADMV1012 17.5GHz至24GHz、GaAs、MMIC、I/Q下变频器技术手册

概述
ADMV1012 是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)双边带(DSB)下变频器，采用符合RoHS标准的封装，针对输入频率范围为17.5 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。

ADMV1012提供15 dB的转换增益、25 dB的镜像抑制性能和2.5 dB噪声指数。ADMV1012采用射频(RF)低噪声放大器(LNA)，后接由驱动放大器驱动集成×2乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。它具有IF1和IF2正交混频器输出，所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。

I/Q 混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。ADMV1012为混合型DSB下变频器的小型替代器件，无需线焊，可以使用表贴制造装配。

ADMV1012 下变频器采用紧凑的散热增强型、4.9 mm × 4.9 mm、32引脚LCC封装。ADMV1012工作温度范围为−40°C至+85°C。
数据表：*附件：ADMV1012 17.5GHz至24GHz、GaAs、MMIC、I Q下变频器技术手册.pdf

应用

• 点对点微波无线电
• 雷达和电子战系统
• 仪器仪表、自动测试设备 (ATE)
• 卫星通信

特性

• RF 输入频率范围：17.5 GHz 至 24 GHz
• IF 输出频率范围：2.5 GHz 至 3.5 GHz
• LO 输入频率范围：7 GHz 至 13.5 GHz
• 转换增益（混合器件）：15 dB（典型值）
• SSB 噪声指数：2.5 dB（典型值）
• 输入 IP3：3 dBm（典型值）
• 输入 P1dB：−5 dBm（典型值）
• 20 dB 镜频抑制
• 单端 50 Ω RF 和 LO 输入端口
• 裸露焊盘、4.9 mm × 4.9 mm、32引脚LCC封装

框图

引脚配置描述

典型性能特征

应用信息

评估板和典型应用电路针对低侧本振（LO）（上边带）性能进行了优化，采用 Mini - Circuit QCN - 45+ RF 90° 混合耦合器。由于这些混频器是双平衡混频器，ADMV1012 可支持中频 （IF）。

典型应用电路

典型应用电路如图 34 所示。图中的应用电路已在评估板电路中复现。

评估板信息

应用中使用的电路板必须采用射频电路设计技术。信号线必须具有50Ω的阻抗，封装接地引脚和外露焊盘应直接连接到接地层，类似于图35和图36中所示。使用足够数量的过孔连接顶层和底层接地层。图34中所示的评估电路板可根据需求从亚德诺半导体（Analog Devices）获取。

布局

将ADMV1012底面的外露焊盘焊接到具有低热阻和低电阻抗的接地平面上。此焊盘通常焊接到评估板上阻焊层的外露开口处。将该接地连接到评估板上的所有其他接地层，以实现最大散热效果。图35展示了ADMV1012 - EVALZ的印刷电路板（PCB）焊盘图形，图36展示了ADMV1012 - EVALZ评估板的钢网模板。
上电顺序

设置ADMV1012 - EVALZ，可按以下步骤操作：

1. 用 - 1.8V电源为VGRF供电。
2. 用3V电源为VDRF供电。
3. 用3V电源为VDLO供电。
4. 在 - 1.8V至 - 0.4V之间调节VGRF电源，直到IDREF = 68 mA。
5. 将LOIN连接到本振（LO）信号发生器，LO功率为上边带 - 4dBm至 + 4dBm。
6. 对于上边带，在IF_OUTPUT_LSB连接器上连接一个50Ω终端；对于下边带，在IF_OUTPUT_USB连接器上连接一个50Ω终端。
7. 将射频（RF）信号施加到RF_INPUT和LO_INPUT端口。
   断电顺序

关闭ADMV1012 - EVALZ，可按以下步骤操作：

1. 关闭LO和RF信号。
2. 将VGRF设置为 - 1.8V。
3. 将VDRF电源设置为0V，然后关闭VDRF电源。
4. 将VDLO电源设置为0V，然后关闭VDLO电源。
5. 关闭VGRF电源。