ADMV1009 12.7GHz至15.4GHz、GaAs、MMIC、差分上变频器技术手册

概述
ADMV1009 是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)、上边带(USB)、差分上变频器，采用符合RoHS标准的封装，针对工作频率范围为12.7 GHz至15.4 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。

ADMV1009 提供21 dB的转换增益和20 dB的边带抑制性能。ADMV1009采用射频(RF)放大器，前接由驱动放大器驱动本振(LO)的无源、双平衡混频器。还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部180°巴伦差分驱动IF引脚。ADMV1009为混合型单边带(SSB)上变频器的小型替代器件，无需线焊，可以使用表贴制造装配。

ADMV1009上变频器采用紧凑的散热增强型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装。ADMV1009工作温度范围为−40°C至+85°C。
数据表：*附件：ADMV1009 12.7GHz至15.4GHz、GaAs、MMIC、差分上变频器技术手册.pdf

应用

• 点对点微波无线电
• 雷达和电子战系统
• 仪器仪表、自动测试设备

特性

• RF 输出频率范围：12.7 GHz 至 15.4 GHz
• IF 输入频率范围：2.8 GHz 至 4 GHz
• LO 输入频率范围：9 GHz 至 12.6 GHz
• 匹配的 50 Ω RF 输出、LO 输入和 IF 输入
• 20 dB 镜频抑制
• 32 引脚、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装

框图
引脚配置描述

典型性能特征

典型应用电路

典型应用电路如图 59 所示。此处展示的应用电路已在评估板电路中复现。

评估板信息

应用中使用的电路板必须采用射频电路设计技术。信号线必须具有50Ω的阻抗，封装接地引脚和外露焊盘应直接连接到接地层，与图60和图61中所示类似。使用足够数量的过孔连接电路板的顶层和底层接地层。图59中所示的评估电路板可应要求从亚德诺半导体公司（Analog Devices, Inc.）获取。

布局

将ADMV1009底面的外露焊盘焊接到具有低热阻和低电阻抗的接地平面上。该焊盘通常焊接到评估板阻焊层的外露开口处。将这些接地过孔连接到评估板上的所有其他接地层，以实现器件封装的最大散热效果。图60展示了ADMV1009 - EVALZ的印刷电路板（PCB）焊盘图形，图61展示了ADMV1009 - EVALZ评估板的钢网模板。

上电顺序

设置ADMV1009 - EVALZ，可按以下步骤操作：

1. 用 - 1.5V电源为VGLO供电。
2. 用5V电源为VDLO供电。
3. 在 - 1.5V至 - 0.5V之间调节VGLO，使IDLO = 60mA。
4. 用 - 1.5V电源为VGRF供电。
5. 用5V电源为VDRF供电。
6. 在 - 1.5V至 - 0.5V之间调节VGRF，使IDLO = 250mA。
7. 用 - 1.5V电源为VGMIX供电。
8. 施加本振（LO）信号。
9. 施加中频（IF）信号。

断电顺序

关闭ADMV1009 - EVALZ，可按以下步骤操作：

1. 关闭LO和IF信号。
2. 将VGRF和VGLO设置为 - 1.5V。
3. 将VDRF和VDLO电源设置为0V，然后关闭VDRF和VDLO电源。
4. 关闭VGRF和VGLO电源。