ADMV1011 17GHz至24GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器技术手册

概述

ADMV1011是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)、双边带(DSB)上变频器，采用符合RoHS标准的封装，针对工作频率范围为17 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。

ADMV1011提供21 dB的转换增益，具有针对下边带和上边带的32 dBc和23 dBc边带抑制性能。ADMV1011采用射频(RF)放大器，前接由驱动放大器驱动集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带的滤波要求。ADMV1011为混合型DSB上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造装配。

ADMV1011上变频器采用紧凑的散热增强型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装。ADMV1011工作温度范围为−40°C至+85°C。
数据表：*附件：ADMV1011 17GHz至24GHz、GaAs、MMIC、I Q上变频器技术手册.pdf

特性

• RF输出频率范围：17 GHz至24 GHz
• IF输入频率范围：2 GHz至4 GHz
• LO输入频率范围：8GHz至12 GHz，集成2×乘法器
• 边带抑制：32 dB（下边带）
• P1dB：25 dBm
• 增益调节：30 dB
• 输出IP3：33 dBm
• 匹配50 Ω RF输出、LO输入和IF输入
• 32引脚、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装

应用

• 点对点微波无线电
• 雷达和电子战系统
• 仪器仪表、自动测试设备

框图

引脚配置描述

典型性能特征

应用信息

评估板和典型应用电路采用Mini - Circuit QCN - 45+ RF 90°混合耦合器，针对低侧本振（LO）（上边带）性能进行了优化。

由于ADMV1011是双平衡I/Q混频器，它能够支持从4GHz到直流的中频（IF）频率。

典型应用电路如图56所示。此处展示的应用电路已在评估板电路中复现。

更高分辨率的增益调节

“性能与增益调节”部分中展示的数据是基于VCTRL2和VCTRL3相等的情况下得出的。当VCTRL2和VCTRL3分开调节时，可以实现更高分辨率的增益调节。需要注意的是，整体动态范围保持不变。图57和图60展示了在输出IP3和转换增益方面，单独使用VCTRL2和VCTRL3时的情况。

图58展示了在23GHz时，上边带的射频输出（RFOUT）性能。图59和图60展示了在18GHz时，下边带的射频输出性能。在图57和图59中，当VCTRL2从 - 5V扫描到 - 0.75V时，VCTRL3保持在 - 0.75V不变。在图58和图60中，当VCTRL3从 - 5V扫描到 - 0.75V时，VCTRL2保持在 - 0.75V不变。