HMC6505A 5.5GHz到8.6GHz，GaAs，MMIC，I/Q升频器技术手册

概述
HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封装的紧凑型砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 升频器，工作频率范围为 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器件提供 15 dB 的小信号转换增益，以及 22 dBc 的边带抑制。HMC6505A 在可变增益放大器 (VGA) 之前使用同相和正交 (I/Q) 混频器，该混频器由主动本地振荡器 (LO) 驱动。提供 IF1 和 IF2 混频器输入，并需要采用外部 90° 混合模式选择所需的边带。I/Q 混频器拓扑结构减少了对不必要的边带进行过滤的需要。HMC6505A 是混合式单边带 (SSB) 升频器组件的小型替代方案，它可以使用表面安装制造技术，这消除了对引线键合的需要。

HMC6505A 提供 5 mm × 5 mm、32 端子无引线芯片载体 (LCC) 封装，可在 −40°C 至 +85°C 的温度范围内工作。HMC6505A 的评估板还可按需提供。
数据表：*附件：HMC6505A 5.5GHz到8.6GHz，GaAs，MMIC，I Q升频器技术手册.pdf

应用

• 点到点和单点对多点无线电
• 军用雷达、电子战 (EW) 和电子智能 (ELINT)
• 卫星通信
• 传感器

特性

• 转换增益：15 dB（典型值）
• 边带抑制：22 dBc（典型值）
• 增益最大时的输出 P1dB 压缩：22 dBm（典型值）
• 增益最大时的输出 IP3：35 dBm（典型值）
• LO 到 RF 隔离：4 dB（典型值）
• LO 到 IF 隔离：9 dB（典型值）
• RF 回波损耗：20 dB（典型值）
• LO 回波损耗：10 dB（典型值）
• IF 回波损耗：20 dB（典型值）
• 裸焊盘，5 mm × 5 mm，32 端子，无引线芯片载体封装

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

典型应用电路

图103展示了HMC6505A的典型应用电路。要选择合适的边带，需要一个外部90°混合耦合器。对于不需要直流工作的应用，使用片外隔直电容。对于需要抑制输出端本振信号的应用，如图所示，使用偏置三通或射频馈电。

为防止损坏器件，每个中频 （IF）端口用于本振抑制的源电流或灌电流需小于3毫安。每个中频端口的共模电压为0V。

若要选择上边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的90°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的0°端口。若要选择下边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的0°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的90°端口。