HMC8191 6GHz至26.5GHz、宽带I/Q混频器技术手册

概述
HMC8191是一款无源、宽带I/Q单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射频(RF)和本振(LO)范围以及DC至5 GHz的中频(IF)带宽，非常适合需要宽频率范围、出色RF性能、简单设计以及更少元件和小尺寸印刷电路板(PCB)的应用。单个HMC8191可取代设计中的多个窄带混频器。

HMC8191的固有I/Q架构具有出色的镜像抑制能力，因此无需进行成本高昂的干扰边带滤波。该混频器还提供出色的LO至RF和LO至IF隔离性能，并降低了LO泄漏的影响以确保信号完整性。

作为一款无源混频器，HMC8191无需任何直流电源。相比有源混频器，它提供较低的噪声指数，从而确保针对高性能和精密应用具有出色的动态范围。

HMC8191采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，使用ADI公司的混频器单元和90度混合器件。HMC8191提供紧凑型、4 mm × 4 mm、24引脚无铅芯片载体(LCC)封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。HMC8191评估板还可通过ADI网站获得。
数据表：*附件：HMC8191 6GHz至26.5GHz、宽带I Q混频器技术手册.pdf

应用

• 测试与测量仪器仪表
• 军事、航空航天和防务应用
• 微波点对点基站

特性

• 无源宽带I/Q混频器
• RF和LO范围：6 GHz至26.5 GHz
• 宽IF带宽：DC至5 GHz
• 单端RF、LO和IF
• 转换损耗：9 dB（典型值）
• 镜像抑制：25 dBc（典型值）
• 单边带噪声指数：9 dB（典型值）
• 输入IP3（下变频器）：24 dBm（典型值）
• 输入P1dB压缩点（下变频器）：15 dBm（典型值）
• 输入IP2：55 dBm（典型值）
• LO至RF隔离：40 dB（典型值）
• LO至IF隔离：40 dB（典型值）
• RF至IF隔离：20 dB（典型值）
• 幅度平衡：±0.5 dB（典型值）
• 相位平衡（下变频器）：±5°（典型值）
• RF回波损耗：15 dB（典型值）
• LO回波损耗：15 dB（典型值）
• IF回波损耗：15 dB（典型值）
• 裸露焊盘、4 mm × 4 mm、24引脚陶瓷LCC 封装

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息

图149展示了HMC8191的典型应用电路。要选择合适的边带，需要一个外部90°混合耦合器。对于不需要直流工作的应用，使用片外隔直电容。对于需要抑制输出端本振（LO）信号的应用，如图149所示，使用偏置三通或射频馈电。确保每个中频（IF）端口用于本振抑制的源电流或灌电流小于1毫安，以防止损坏器件。每个中频端口的共模电压为0V。

若用作上变频器来选择上边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的90°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的0°端口。若选择下边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的0°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的90°端口。输入来自混合耦合器的和端口，差端口接50Ω终端。

若用作下变频器且本振处于低端（low - side LO）来选择上边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的0°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的90°端口。若本振处于高端（high - side LO）来选择下边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的90°端口，IF2引脚连接到混合耦合器的0°端口。输出来自混合耦合器的和端口，差端口接50Ω终端。