HMC219B 2.5GHz至7.0GHzGaAs、MMIC基波混频器技术手册

概述
HMC219B是一款超小型通用双平衡混频器，采用8引脚超小型塑料表贴封装，带裸露焊盘(MINI_SO_EP)。该无源单芯片微波集成电路(MMIC)混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。该器件可用作频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz的上变频器、下变频器、双相调制器或相位比较器。

HMC219B采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)隔离及LO至中频(IF)隔离性能。符合RoHS标准的HMC219B无需线焊，与高容量表贴制造技术兼容。MMIC性能稳定可提高系统工作效率并确保符合HiperLAN、U-NII和ISM法规要求。
数据表：*附件：HMC219B 2.5GHz至7.0GHzGaAs、MMIC基波混频器技术手册.pdf

应用

• 微波无线电
• 高性能无线电局域网(HiperLAN)和免执照国家信息基础设施(U-NII)
• 工业、科研和医疗(ISM)

特性

• 转换损耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔离：40 dB（典型值）
• LO至IF隔离：35 dB（典型值）
• RF至IF隔离：22 dB（典型值）
• 输入IP3：18 dBm（典型值）
• 输入P1dB：11 dBm（典型值）
• 输入IP2：55 dBm（典型值）
• 无源双平衡拓扑结构
• 8引脚、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封装

功能框图

引脚配置描述

接口示意图

典型应用电路

图83展示了HMC219B的典型应用电路。HMC219B是一款无源器件，无需任何外部组件。本振（LO）引脚和射频（RF）引脚内部已进行直流耦合。如果不需要直流中频（IF）工作，在IF端口使用一个交流耦合电容。如果需要直流IF工作，请勿超过“绝对最大额定值”部分中规定的IF源电流和灌电流额定值。

图83. 典型应用电路
评估印刷电路板（PCB）信息

对于图84中所示的评估PCB，必须采用射频电路设计技术。信号线必须具有50Ω的阻抗，封装接地引脚和外露焊盘必须直接连接到接地层，类似于图84中所示。使用足够数量的过孔连接顶层和底层接地层。图84中所示的评估电路板可根据需求从亚德诺半导体（Analog Devices, Inc.）获取。订购评估PCB组件时，请参考EV1HMC219BMS8G。材料清单如表5所示。