HMC787A GaAs MMIC基波混频器技术手册

概述
HMC787A是一款通用型双平衡混频器，采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装，可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。HMC787A通过优化的巴伦结构提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)隔离性能，采用17 dBm的LO驱动电平工作。陶瓷LCC封装无需线焊，与高容量表贴制造技术兼容。
数据表：*附件：HMC787A GaAs MMIC基波混频器技术手册.pdf

HMC787AG是一款通用型双平衡混频器，可用作3 GHz至10 GHz频率范围的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。

HMC787AG通过优化的巴伦结构提供高本振(LO)至RF及LO至中频(IF)隔离性能，采用13 dBm至21 dBm的LO驱动电平工作。

特性
HMC787ALC3B

• 转换损耗：9 dB（典型值，3 GHz至9 GHz时）

• 本振(LO)至射频(IF)隔离：43 dB（典型值，3 GHz至9 GHz时）

• RF至中频(IF)隔离：26 dB（典型值，3 GHz至9 GHz时）

• 输入三阶交调截点(IP3)：24 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz时）

• 输入1 dB压缩点(P1dB)：17 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz时）

• 输出二阶交调截点(IP2)：67 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz时）

• 无源双平衡拓扑结构

• 宽IF频率范围：DC至4 GHz

• 12引脚、陶瓷、无铅芯片载体(LCC)封装

HMC787AG（芯片）
下变频器* 变频损耗

• 8 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
• 10 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
• LO至IF隔离
  • 44 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
  • 42 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
• RF至IF隔离
  • 21 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
  • 32 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
• 输入IP3
  • 22 dBm（典型值，3 GHz至7 GHz）
  • 28 dBm（典型值，7 GHz至10 GHz）
• 输入P1dB
  • 15 dBm（典型值，3 GHz至7 GHz）
  • 17 dBm（典型值，7 GHz至10 GHz）
• 无源双平衡拓扑结构
• 宽IF频率范围：DC至4 GHz
• 6焊盘、裸片[芯片]

框图

应用

• 微波无线电
• 工业、科研和医疗(ISM)频段和超宽频段(UWB)无线电
• 测试设备和传感器
• 军用最终用途

引脚配置描述

接口示意图

典型应用电路

图49展示了HMC787A的典型应用电路。本振（LO）引脚和射频（RF）引脚内部已实现交流耦合。如果不需要直流中频（IF）工作，建议在IF端口使用一个交流耦合电容。如果需要直流IF工作，请勿超过“绝对最大额定值”部分中规定的IF源电流和灌电流数值。

应用中使用的电路板必须采用射频电路设计技术。信号线必须具有50Ω的阻抗，封装接地引脚和外露焊盘必须直接连接到接地层，类似于图50中所示。使用足够数量的过孔连接顶层和底层接地层。图50中所示的评估电路板可应要求从亚德诺半导体公司（Analog Devices, Inc.）获取。