HMC7911 17.0 GHz至20.0 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器技术手册

概述
HMC7911LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和25 dBc的边带抑制性能。 HMC7911LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC7911LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。
数据表：*附件：HMC7911 17.0 GHz至20.0 GHz、GaAs、MMIC、I Q上变频器技术手册.pdf

应用

• 点对点和点对多点无线电
• 军用雷达、EW和ELINT
• 卫星通信
• 传感器

特性

• 转换增益：18 dB（典型值）
• 边带抑制：30 dBc（典型值）
• 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：2 dBm（典型值）
• 输出三阶交调截点(OIP3)：33 dBm（典型值）
• RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：10 dBm（典型值）
• IF输入端2倍LO泄漏：-25 dBm（典型值）
• RF回波损耗：13 dB（典型值）
• LO回波损耗：10 dB（典型值）
• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

工作原理

HMC8108是一款X波段低噪声变频器，集成了本振缓冲器。它能将9GHz的射频输入信号转换为10GHz的中频信号，并在输出端抑制镜像信号 。HMC8108的功能框图和电路架构如图54所示。

射频输入信号先经过两级低噪声放大。预混频的射频输入信号随后通过内部混合器分离为单端信号，再进入无源混频器。一个功率分配器后接三个本振缓冲放大器，驱动两个正交（I和Q）混频器核心，将放大后的射频输入信号转换为中频信号。一个2:1的衰减器可实现10dB到30dB的增益控制范围。

应用信息

图83展示了一个典型的下边带上变频电路。下边带输入信号连接到外部90°混合耦合器的输入端口。隔离端口接50Ω负载。90°混合耦合器将信号分成同相（I）和正交（Q）相位分量。这两个I和Q输入信号进入HMC7911，IF1和IF2引脚。如果器件连接到90°混合耦合器的耦合端口，IF2引脚连接到混合耦合器的0°端口。通过施加较小的I/Q混频器核心偏移电压V_{cc - BI}和V_{cc - BQ}，可以改善本振（LO）到射频（RF）的泄漏。但是，必须限制施加的直流偏置，以避免产生或吸收超过±3mA的偏置电流。根据所使用的偏置源，可能会有额外的±3mA限制，以确保施加的偏置电流不超过限制。