HMC7587 E频段I/Q下变频器，81GHz至86GHz技术手册

概述
HMC7587是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相和正交(I/Q)下变频器芯片，工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC7587在整个频段内提供10 dB小信号转换增益和30 dBc边带抑制性能。 该器件采用低噪声放大器，后接由6倍倍频器驱动的图像抑制混频器。

该镜像抑制混频器使得低噪声放大器之后无需使用滤波器。 可针对直接变频应用提供差分I和Q混频器输出。 或者，可利用外部90°混合型器件和两个外部180°混合型器件将输出合并，以实现单边带应用。 所有数据包括RF端口上3 mm宽线焊的效应以及中频(IF)端口上1 mil金线焊的效应。
数据表：*附件：HMC7587 E频段I Q下变频器，81GHz至86GHz技术手册.pdf

应用

• E频段通信系统
• 高容量无线回程
• 测试与测量

特性

• 转换增益： 10 dB（典型值）
• 镜像抑制： 30 dBc（典型值）
• 噪声系数： 6 dB（典型值）
• 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率： -10 dBm（典型值）
• 输出三阶交调截点(IP3)： -2 dBm（典型值）
• 输出二阶交调截点(IP2)： 25 dBm（典型值）
• RFIN上6倍LO泄漏： -40 dBm（典型值）
• 射频(RF)回波损耗： 10 dB（典型值）
• 本振(LO)回波损耗： 20 dB（典型值）
• 裸片尺寸： 3.599 mm × 2.199 mm × 0.05 mm

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

工作原理

HMC7587 是一款砷化镓（GaAs）低噪声 I/Q 下变频器，集成了本振（LO）缓冲器和一个 6 倍频器。下变频器电路的功能框图见图 210。

射频（RF）输入在内部进行交流耦合，并匹配到 50Ω。输入级对射频输入信号进行低噪声放大。经过放大的射频输入信号随后被分割并驱动两个平衡无源混频器。

正交本振信号驱动两个 I 和 Q 混频器核心。本振路径提供一个 6 倍频器，这允许使用较低频率范围的本振输入信号，通常在 11.83GHz 和 14.33GHz 之间。该 6 倍频器通过级联一个 3 倍频器和一个 2 倍频器来实现。本振缓冲放大器被纳入设计中，以提供典型的 2dBm 本振驱动电平用于全功率运行。