HMC8118 71GHz至76GHz，E频段I/Q上变频器技术手册

概述
HMC8118是一款集成E频段的砷化镓(GaAs) 单芯片微波集成电路(MMIC)同相和正交(I/Q)上变频器芯片，工作频率范围为71 GHz至76 GHz。 HMC8118在整个频段内提供11 dB小信号转换增益和33 dBc边带抑制性能。 该器件采用由6倍LO倍频器驱动的图像抑制混频器。 提供差分I和Q混频器输入。 输入可由针对直接变频应用的差分I和Q基带波形驱动。 或者，输入可使用针对单边带应用的外部90°混合器件和两个外部180°混合器件进行驱动。 所有数据包括中频(IF)端口上1 mil金线焊的效应。
数据表：*附件：HMC8118 71GHz至76GHz，E频段I Q上变频器技术手册.pdf

应用

• E频段通信系统
• 高容量无线回程
• 测试与测量

特性

• 转换损耗： 11 dB（典型值）
• 边带抑制： 针对1 dB压缩(P1dB)的典型输入功率：33 dBc 14 dBm（典型值）
• 输入三阶交调截点(IP3)： 22 dBm（典型值）
• 输入二阶交调截点(IP2)： -5 dBm（典型值）
• RFOUT上6倍本振(LO)泄漏： -27 dBm（典型值）
• RF回损： 6 dB（典型值）
• LO回损： 18 dB（典型值）
• 裸片尺寸： 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

工作原理

HMC8118 是一款砷化镓（GaAs）I/Q 上变频器，集成了本振（LO）缓冲器和 6 倍频器。电路架构的功能框图如图 79 所示。6 倍频器能够使用较低频率范围的本振输入信号，通常在 11.83 GHz 至 14.33 GHz 之间。该 6 倍频器通过级联一个 3 倍频器和一个 2 倍频器来实现。芯片上集成的本振缓冲放大器，可提供典型的 2 dBm 本振驱动电平，以实现最佳性能。

本振路径驱动一个正交功分器，其后连接片上巴伦，进而驱动 I 和 Q 混频器核心。混频器核心由平衡无源混频器组成。I 和 Q 混频器的射频输出随后通过片上威尔金森功率合成器进行合成，并进行电抗匹配，以在 RFOUT 引脚上提供单端 50Ω 输出信号 。

工作原理

HMC8118是一款砷化镓（GaAs）I/Q上变频器，集成了本振（LO）缓冲器和6倍频器。电路架构的功能框图如图79所示。6倍频器能够使用较低频率范围的本振输入信号，通常在11.83 GHz至14.33 GHz之间。该6倍频器通过级联一个3倍频器和一个2倍频器来实现。芯片上集成的本振缓冲放大器，可提供典型的2 dBm本振驱动电平，以实现最佳性能。

本振路径驱动一个正交功分器，其后连接片上巴伦，进而驱动I和Q混频器核心。混频器核心由平衡无源混频器组成。I和Q混频器的射频输出随后通过片上威尔金森功率合成器进行合成，并进行电抗匹配，以在RFOUT引脚上提供单端50Ω输出信号 。