HMC8119 81GHz至86GHz，E频段I/Q上变频器技术手册

概述
HMC8119是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、同相和正交(I/Q)上变频器芯片，工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC8119在整个频段内提供10 dB小信号转换增益和22 dBc边带抑制性能。 该器件采用由6倍LO倍频器驱动的图像抑制混频器。 提供差分I和Q混频器输入。 输入可由针对直接变频应用的差分I和Q基带波形驱动。 或者，输入可通过使用针对单边带应用的外部90混合型器件和两个外部180型器件进行驱动。 所有数据包括中频(IF)端口上1 mil金线焊的效应。
数据表：*附件：HMC8119 81GHz至86GHz，E频段I Q上变频器技术手册.pdf

应用

• E频段通信系统
• 高容量无线回程
• 测试与测量

特性

• 转换损耗： 10 dB（典型值）
• 边带抑制： 针对1 dB压缩(P1dB)的典型输入功率：22 dBc 16 dBm（典型值）
• 输入三阶交调截点(IP3)： 24 dBm（典型值）
• 输入二阶交调截点(IP2)： -5 dBm（典型值）
• RFOUT上6倍本振(LO)泄漏： -23 dBm（典型值）
• RF回损： 12 dB（典型值）
• LO回损： 20 dB（典型值）
• 裸片尺寸： 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

工作原理

HMC8119是一款砷化镓（GaAs）的I/Q上变频器，集成了本振（LO）缓冲器和6倍频器。电路架构的功能框图见图79。6倍频器可使用频率范围较低的本振输入信号，通常在11.83 GHz到14.33 GHz之间。该6倍频器通过级联一个3倍频器和一个2倍频器来实现。片上集成的本振缓冲放大器可提供典型的2 dBm本振驱动电平，以实现最佳性能。

本振路径驱动一个正交功分器，之后连接片上平衡 - 不平衡转换器（巴伦），用以驱动I和Q混频器核心。混频器核心由平衡无源混频器组成。I和Q混频器的射频输出随后通过片上威尔金森功率合成器进行合成，并经过电抗匹配，在RFOUT引脚上提供一个单端50Ω的输出信号。

零中频直接转换

零中频直接转换的应用电路如图81所示。对于需要额外本振泄漏校正的应用，会包含一个偏置网络。

在省略偏置配置的情况下，仍需注意，当对IFIP、IFIN、IFQP和IFQN引脚进行耦合时，要连接到数模转换器（DAC）的输出端。大多数DAC设计为在高于地电位的共模电压下工作。HMC8119的I/Q输入以地为参考，将差分信号的源共模和输出电压设置为非0V，可能会导致射频性能下降，并有可能损坏器件。