LTC5577 300MHz至6GHz高信号电平有源下变频混频器技术手册

描述

概述
LTC5577 有源混频器专为要求高输入信号处理能力和宽带宽的 RF下变频应用而优化。宽带IF 输出采用外部电阻器来设定输出阻抗,从而提供了与差分IF 负载(例如:滤波器和放大器)直接匹配的灵活性。该器件虽然针对一个 100Ω 差分输出阻抗进行特性分析和规格拟订,但其可与 50Ω 至 400Ω的输出阻抗配合运作,并在较高的阻抗级别下具有较高的增益和减低的 IIP3 和 P1dB。F 输出可在高达 1.5GHz 的频率下使用。

在接收器应用中,高输入P1dB 和IIP3 允许使用较高增益的低噪声放大器,从而可获得较高的接收器灵敏度。RF和 LO 输入端上的集成型变压器提供单端 50Ω接口,同时较大限度地缩减了解决方案尺寸。
数据表:*附件:LTC5577 300MHz至6GHz高信号电平有源下变频混频器技术手册.pdf

应用

  • 无线基础设施接收机
  • DPD 观测接收机
  • CATV 基础设施

特性

  • +30dBm IIP3
  • +15dBm 输入 P1dB
  • 0dB 转换增益
  • 宽带差分 IF 输出
  • 非常低的 2 x 2 和 3 x 3 杂散
  • IF 频率范围高达 1.5GHz
  • 低 LO-RF 泄漏
  • 停机时 LO 输入 50Ω 匹配
  • –40ºC 至 105ºC 工作温度 (T C )
  • 非常小的解决方案外形尺寸
  • 16 引脚 (4mm x 4mm) QFN 封装

典型应用
RF

引脚配置
RF

引脚功能

  • GND(引脚1、4、9、13、16,外露焊盘引脚17) :接地引脚。这些引脚必须焊接到电路板上的射频接地层。封装的外露焊盘金属层可提供与接地层的电气连接,并且有助于良好的散热。
  • RF(引脚2) :单端射频输入引脚。该引脚内部连接到集成射频变压器的初级绕组,其初级绕组对地的直流电阻较低。如果射频信号源存在直流电压,则需要使用串联隔直电容,以避免损坏内部变压器。当混频器未启用时,射频输入通过图3中所示的匹配元件实现50Ω阻抗匹配。
  • NC(引脚3、11) :未连接引脚。这些引脚在内部未连接,可以悬空、接地或连接到Vcc。
  • EN(引脚5) :使能引脚。当输入电压大于2.5V时,混频器启用;当输入电压小于0.3V时,混频器禁用。典型的关断电流小于30μA。该引脚内部有一个下拉电阻。
  • Vcc(引脚6、7) :电源引脚。这些引脚必须连接到经过稳压的3.3V电源,并在引脚附近连接一个旁路电容。典型的直流电流消耗为68mA。
  • IADJ(引脚8) :混频器核心电流调节引脚。在该引脚和地之间连接一个电阻,可以降低混频器核心的直流电源电流。典型的开路直流电压为2.2V。为获得最佳性能,该引脚应悬空。
  • LO(引脚10) :单端本振输入引脚。该引脚内部连接到集成变压器的初级绕组,其初级绕组对地的直流电阻较低。需要使用串联隔直电容,以避免损坏内部变压器。从930MHz到4GHz,该输入为50Ω阻抗匹配;当芯片禁用时,工作频率可低至300MHz。通过所示的外部匹配,工作频率最高可达6GHz也是可行的。
  • TEMP(引脚12) :温度感应二极管引脚。该引脚连接到一个二极管的阳极,通过注入电流并测量电压,可用于测量芯片温度。
  • IF+/IF-(引脚13/引脚14) :集电极开路差分中频输出引脚。这些引脚必须通过阻抗匹配电感或变压器中心抽头连接到Vcc电源。每个引脚的典型直流电流消耗为56mA。

框图RF

应用信息

LTC5577集成了一个高线性度的双平衡有源混频器、一个高速限幅本振(LO)缓冲器以及偏置/使能电路。有关每个引脚功能和整体框图的描述,请参见“引脚功能”和“框图”部分。图1展示了一个测试电路原理图,其中包含了所有外部组件,以实现数据手册中规定的性能。可能会使用一些额外的组件来调整直流电流或频率响应,具体将在以下部分讨论。

LO和RF输入均为单端输入。如图1所示的测试电路,配置有一个100Ω差分IF输出。为了进行特性分析和测试,使用一个外部宽带180°无源合成器将差分IF输出合并为50Ω单端输出。评估板布局如图2所示。

RF输入

混频器RF输入的简化原理图如图3所示。如图所示,集成RF变压器初级绕组的一端连接到引脚2,另一端在内部直流接地。因此,如果RF信号源存在直流电压,则需要一个串联隔直电容(C3)。初级绕组的直流电阻约为3Ω。缓冲放大器变压器的次级绕组在内部连接到RF缓冲放大器。

由于与LTC5577较高的IIP3(三阶输入截点)和输入P1dB(1dB压缩点)相关的高RF电压摆幅,RF输入上不使用静电放电(ESD)保护二极管。内部变压器为RF匹配电容提供了一定程度的保护,可抵御高达3kV的人体模型ESD冲击。必须采用适当的ESD处理技术,以避免损坏该电容。
RF

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