LTC5590双通道、600MHz至1.7GHz、高动态范围、下变频混频器技术手册

概述
LTC5590 隶属于一个覆盖 600MHz 至 4.5GHz RF 频率范围的双通道、高动态范围、高增益下变频混频器系列。LTC5590专为 600MHz 至 1.7GHz RF 应用而优化。LO 频率必须位于 700MHz 至 1.5GHz 的范围之内，以获得较佳性能。该器件的典型应用是具有一个 700MHz 至 915MHz RF 输入和高端 LO 的 LTE 或 GSM 接收机。

LTC5590 的高转换增益和高动态范围允许在高选择性接收机设计中使用规格较宽松的 IF 滤波器，并较大限度地缩减了总体解决方案成本、板级空间和系统级偏差。这款器件还提供了一种低电流模式以实现额外的节能，而且每个混频器通道都具有独立的停机控制功能。
数据表：*附件：LTC5590双通道、600MHz至1.7GHz、高动态范围、下变频混频器技术手册.pdf
应用

• 3G / 4G 无线基础设施分集接收机 (LTE、CDMA、GSM)
• MIMO (多输入多输出) 基础设施接收机
• 高动态范围下变频混频器应用

特性

• 转换增益：8.7dB (在 900MHz)
• IIP3：26dBm (在 900MHz)
• 噪声指数：9.7dB (在 900MHz)
• 在 5dBm 隔离条件下噪声指数 (NF) 为 15.6dB
• 高输入 P1dB
• 53dB 通道间隔离 (在 900MHz)
• 采用 3.3V 时功耗为 1.3W
• 低电流模式：<800mW 功率损耗
• 用于每个通道的使能引脚
• 50Ω 单端 RF 和 LO 输入
• 在所有模式中 LO 输入匹配
• 0dBm LO 驱动电平
• 小的封装及解决方案外形尺寸
• -40ºC 至 105ºC 工作温度范围

典型应用

引脚配置描述

引脚功能

• RFA、RFB（引脚1、6） ：分别为A通道和B通道的单端射频输入引脚。这些引脚内部连接到射频输入变压器的初级侧，其初级侧对地直流电阻较低。当射频输入存在直流电压时，应使用串联隔直电容，以避免损坏集成变压器。当LO输入由700MHz至1.5GHz范围内、0±6dBm的信号源驱动且混频器启用时，RF输入可实现阻抗匹配。
• CTA、CTB（引脚2、5） ：分别为A通道和B通道的射频变压器次级中心抽头引脚。这些引脚可能需要旁路电容来优化IIP3性能。每个引脚内部产生的偏置电压为1.2V，必须与地和Vcc进行直流隔离。
• GND（引脚3、4、7、13、15、24，外露焊盘引脚25） ：接地引脚。这些引脚必须焊接到电路板上的射频接地层。封装的外露焊盘金属层可提供与接地层的电气连接，并且有助于良好的散热。
• IFGNDB、IFGNDA（引脚8、23） ：分别为B通道和A通道中频放大器的直流接地返回引脚。这些引脚必须连接到地，以构成中频放大器的直流电流通路。可使用芯片电感来调谐本振 - 中频（LO - IF）和射频 - 中频（RF - IF）泄漏。每个引脚的典型直流电流为96mA。
• IFB⁻、IFB⁺、IFA⁻、IFA⁺（引脚9、10、21、22） ：分别为B通道和A通道中频放大器的集电极开路差分输出引脚。这些引脚必须通过阻抗匹配电感或变压器中心抽头连接到直流电源。每个引脚的典型直流电流消耗为48mA。
• IFBB、IFBA（引脚11、20） ：分别为B通道和A通道中频放大器的偏置调节引脚，可独立调节内部中频缓冲器电流。这些引脚上的典型直流电压为2.2V。如果不使用，这些引脚必须与地和Vcc进行直流隔离。
• VccB和VccA（引脚12、19） ：分别为本振缓冲器和偏置电路的电源引脚。这些引脚必须连接到经过稳压的3.3V电源，并在引脚附近连接旁路电容。每个引脚的典型电流消耗为94mA。
• ENB、ENA（引脚14、17） ：分别为B通道和A通道的使能引脚，可独立启用相应通道。施加大于2.5V的电压可激活相关通道，而小于0.3V的电压则会禁用该通道。典型的输入电流小于10μA。这些引脚不能悬空。
• LO（引脚16） ：单端本振输入引脚。该引脚内部连接到本振输入变压器的初级侧，其初级侧对地直流电阻较低。当本振输入存在直流电压时，应使用串联隔直电容，以避免损坏集成变压器。无论ENA和ENB处于何种状态，本振输入在内部均匹配到50Ω。
• I_SEL（引脚18） ：低电流选择引脚。当该引脚被拉低（<0.3V）或悬空时，两个通道均以正常电流电平偏置，以实现最佳射频性能。当施加大于2.5V的电压时，两个通道均以降低的电流工作，从而在较低功耗下实现合理的性能。该引脚不能悬空。

框图

典型应用