概述
ADL5350是一款高线性度、上/下变频混频器,能够在较宽的输入频率范围内工作,非常适合要求高灵敏度和高效抗扰度的蜂窝基站混频器设计。这款器件基于GaAs pHEMT、单端混频器架构,能提供出色的输入线性度和低噪声系数,而无需高功耗本机振荡器(LO)驱动。
在850 MHz/900 MHz接收应用中,ADL5350的典型变频损耗仅为6.8 dB。集成的LO放大器只需一个低LO驱动电平,对于大多数应用,其典型值仅为4 dBm。输入IP3典型值大于25 dBm,输入压缩点为19 dBm。该器件具有高输入线性度,因而是适合GSM 850/900和800 MHz CDMA2000等要求高抗扰度通信系统的出色混频器。在2 GHz时,需要一个略微较高的电源电流才能获得类似的性能。
借助单端宽带RF/IF端口,该器件能够利用简单的外部滤波器网络,针对所需工作频带进行定制。LO至RF隔离基于RF端口滤波器网络的LO抑制。采用更高阶滤波器网络可以实现更大的隔离,详情参见本数据手册的应用信息部分。
ADL5350采用GaAs pHEMT、高性能IC工艺制造,提供3 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装,工作温度范围为−40°C至+85°C,同时提供评估板。
数据表:*附件:ADL5350低频至4GHz高线性度Y型混频器技术手册.pdf
应用
特性
框图
引脚配置描述
典型性能特征
电路说明
ADL5350 是一款基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)的单端无源混频器,集成了本振缓冲放大器。该器件依靠场效应晶体管(FET)结处可变的沟道电导来调制射频信号。简化示意图如图 57 所示。
本振信号施加到基于 FET 的缓冲放大器的栅极。缓冲放大器为本振信号提供足够增益,以驱动电阻开关。此外,反馈电路可提供 FET 所需的偏置。缓冲放大器和射频/中频端口共同作用,在常见的蜂窝频率下实现最佳调制效率。
射频信号和本振信号的混频是通过以本振信号的速率切换射频/中频端口与地之间的沟道电导来实现的。射频信号通过外部带通网络,以抑制镜像频段并降低宽带噪声。然后,幅度受限的射频信号被施加到射频/中频端口随时间变化的负载上,这使得射频信号的包络被调制,调制速率取决于本振信号的速率。需要一个滤波器网络来抑制不需要的射频信号,并将所需的射频信号传输到中频端口。在下变频应用中,中频滤波器网络旨在通过差频,并在电路中对入射射频频率呈现开路。同样,在上变频应用中,滤波器旨在通过和频,并抑制入射射频信号。因此,混频器的频率响应由外部射频/中频滤波器网络的响应特性决定。
实施步骤
ADL5350 是一款简单的单端混频器,依赖片外电路来实现出色的射频动态性能。要实现最佳性能,应遵循以下步骤(元件标识见图 58):
表 7 列出了不同本振频率下推荐的本振偏置电感值。为确保混频器有效换向,偏置电感需正确设置。对于表中所示频率范围之外的其他频率,可进行插值取值。有关该范围之外频率的信息,请参见“应用信息”部分。

调谐本振端口输入网络,以实现最佳回波损耗。通常,使用带通网络将本振信号传输到本振输入引脚(LOIN)。建议阻断混频器核心不需要的高频本振谐波。本振谐波会导致下变频过程中产生更高射频频率的镜像信号,从而降低所需的中频频率,导致灵敏度下降。如果预期本振源的谐波失真和频谱纯度较差,则可能需要使用高阶带通滤波器网络。图 58 展示了一个简单的本振带通滤波器示例。电容 C3 是一个简单的隔直电容,而电感 L3 与栅极 - 源极电容(加上缓冲放大器)一起构成低通网络。本振缓冲器(场效应晶体管)的固有栅极输入阻抗较高。通过反馈可以在预期本振频率下产生正的回波损耗。
如果期望回波损耗优于 -10dB,可能需要在耦合电容(C3)之前增加一个接地的并联电阻,以降低源阻抗。在某些情况下,可能需要稍微提高本振驱动电平。
设计射频和中频滤波器网络。图 58 展示了用于中频和射频端口接口的简单 LC 陷波滤波器网络。射频端口 LC 网络旨在使射频输入信号通过。该串联 LC 陷波在 1/(2π√LC)频率处发生谐振。谐振时,串联电抗相互抵消,呈现出对射频信号的串联短路。并联 LC 陷波用于抑制中频端口的射频信号和本振信号。谐振时,并联 LC 陷波在理想电路中呈现开路。
在设计射频、中频和本振滤波器网络时,必须考虑电路板寄生参数、有限品质因数(Q)以及 LC 元件的自谐振频率。表 8 提供了建议的值,以实现最佳性能。
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