HMC-MDB169 DBL-BAL混频器芯片技术手册

概述
HMC-MDB169是一款无源双平衡MMIC混频器，采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术，可用作上变频器或下变频器。 这款紧凑型混频器具有宽IF带宽、低转换损耗、LO至RF和LO至IF的高隔离性能。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。
数据表：*附件：HMC-MDB169 DBL-BAL混频器芯片技术手册.pdf

HMC-MDB169双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器，而且体积要小得多，性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。

应用

• 短程/高容量无线电
• 点对多点设备
• 军用雷达、ECM和EW
• 卫星通信

特性

• 无源双平衡拓扑结构
• LO至RF高隔离： 30 dB
• 低转换损耗： 8 dB
• 宽IF带宽： DC - 5 GHz
• 裸片尺寸： 0.9 x 1.0 x 0.1 mm

框图

电气规格

外形图

毫米波砷化镓单片微波集成电路（GaAs MMIC）的安装与键合技术

芯片应直接通过共晶方式或使用导电环氧粘贴到接地层（参见HMC通用操作、安装、键合说明 ）。建议使用0.127mm（5密耳）厚的氧化铝薄膜微带线进行50欧姆传输，以将射频信号从芯片引出（图1）。如果使用0.254mm（10密耳）厚的氧化铝薄膜衬底，则芯片应凸起0.150mm（6密耳），使芯片表面与衬底表面齐平。一种实现此目的的方法是附着一个0.102mm（4密耳）厚的芯片，再加上一个0.150mm（6密耳）厚的钼散热片（钼片），然后将其连接到接地层（图2）。

为了最小化键合线长度，微带衬底应尽可能靠近芯片放置。典型的芯片与衬底间距为0.076mm至0.152mm（3至6密耳）。

操作注意事项

遵循以下预防措施，以免造成永久性损坏：

• 存储 ：所有芯片应放置在Ether Waffle或基于凝胶的静电防护容器中，然后密封在静电防护袋中运输。静电防护袋一旦打开，所有芯片应存放在干燥的氮气环境中。
• 清洁度 ：在清洁环境中操作芯片。请勿尝试使用清洁系统清洁芯片。
• 静电敏感度 ：遵循静电防护措施，防止静电冲击。
• 瞬态 ：施加偏置时，抑制仪器和偏置电源的瞬态。使用屏蔽信号线和电缆，以尽量减少感应拾取。
• 一般操作 ：使用真空吸笔或锋利的弯头镊子沿芯片边缘操作芯片。芯片表面有脆弱的空气桥，请勿用真空吸笔、镊子或手指触碰。

安装

芯片背面已金属化，可使用金锡共晶预制件或导电环氧进行芯片贴合。安装表面应清洁且平整。

• 共晶芯片贴合 ：建议使用80/20的金锡预制件，工作表面温度为255°C，工具温度为265°C。当使用90/10的氮气/氢气混合气体时，焊料温度应为290°C。请勿使芯片温度超过320°C，加热时间不得超过20秒。贴合过程中不得擦拭芯片。
• 环氧贴合 ：在安装表面涂抹少量环氧，以便芯片放置到位后，其周边能形成一圈薄薄的环氧填充。按照制造商的固化时间表固化环氧。

引线键合

• 射频键合 ：建议使用0.003英寸×0.0005英寸的带状键合线。这些键合应采用热压键合，压力为40 - 60克。直流键合建议使用直径0.001英寸（0.025毫米）的键合线，热压键合，压力为40 - 50克。
• 球键合 ：建议使用直径0.0015英寸（0.038毫米）的键合线进行球键合，压力为18 - 22克。所有键合的标称阶段温度应为150°C。应施加最小限度的超声波能量，以实现可靠键合。所有键合长度应尽可能短，小于12密耳（0.31毫米）。
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