LM5025C 90V 有源箝位电压模式 PWM 控制器,带 P 或 N 通道箝位 FET技术手册

描述

LM5025C 是 LM5025 有源钳位 PWM 控制器的功能变体。这 LM5025C的功能差异是:LM5025C的最大占空比从 80% 到 91%。软启动电容器充电电流从 20 μA 增加到 90 μA。这 V抄送稳压器电流限制阈值从 25 mA 增加到 55 mA。这 CS1 和 CS2 的电流限制阈值已提高到 0.5V。内部 CS2 过滤器排放 device 已被禁用,不再运行每个 clock cycle。内部的 V抄送和 V裁判当 线路 UVLO 引脚低于阈值。
*附件:LM5025C 有源箝位电压模式 PWM 控制器数据表.pdf

LM5025C PWM 控制器包含实现电源所需的所有功能 使用 Active Clamp / Reset 技术的转换器。使用有源钳位技术,更高的 与传统的 catch 卷绕或 RDC 钳位/复位技术。提供两个控制输出,主电源开关控制 (OUT_A) 和有源钳位开关控制 (OUT_B)。两个内部复合栅极驱动器 并联 MOS 和双极器件,提供卓越的栅极驱动特性。这 控制器专为高速运行而设计,包括高达 1MHz 的振荡器频率范围 总 PWM 和电流检测传播延迟小于 100 ns。该LM5025C包括一个 高压启动稳压器,可在 13V 至 90V 的宽输入范围内工作。附加 功能包括:线路欠压锁定 (UVLO)、软启动、振荡器 UP/DOWN 同步功能、 精密基准和热关断。

特性

  • 内部启动偏置稳压器
  • 3A 复合主栅驱动器
  • 具有可调迟滞的可编程线路欠压锁定 (UVLO)
  • 带前馈的电压模式控制
  • 可调双模式过流保护
  • 主箝位输出和有源箝位输出之间的可编程重叠或死区时间
  • Volt x Second Clamp
  • 可编程软启动
  • 前沿消隐
  • 单电阻可编程振荡器
  • 振荡器 UP / DOWN 同步功能
  • 精准 5V 基准
  • 热关断

参数
过滤器

方框图
过滤器

1. 产品概述

  • 型号‌:LM5025C
  • 制造商‌:Texas Instruments
  • 类型‌:有源箝位电压模式PWM控制器
  • 功能‌:实现高效的电源转换,支持有源箝位技术,提高效率和功率密度

2. 主要特性

  • 最大占空比‌:91%
  • 软启动电容充电电流‌:90µA
  • Vcc调节器电流限制‌:55mA
  • 双模式过流保护‌:CS1和CS2电流限制阈值均为0.5V
  • 可编程重叠或死区时间‌:通过TIME引脚设置
  • 5V精密参考电压
  • 热关断保护
  • 内部高压启动调节器‌:输入范围13V至90V
  • 线欠压锁定(UVLO) ‌:具有可调迟滞
  • 振荡器UP/DOWN同步能力

3. 引脚功能

  • VIN‌:输入电压引脚,范围13V至90V
  • RAMP‌:调制器斜坡信号引脚
  • CS1‌:主电流感应输入,用于逐周期限流
  • CS2‌:软重启电流感应输入,超过0.5V时禁用输出并启动软启动
  • TIME‌:输出重叠/死区时间控制引脚
  • REF‌:5V精密参考电压输出
  • Vcc‌:内部高压启动调节器输出,调节至7.6V
  • OUT_A‌:主输出驱动器,3A峰值沉电流能力
  • OUT_B‌:有源箝位输出驱动器,1.25A峰值沉电流能力
  • PGND‌:功率地
  • AGND‌:模拟地
  • SS‌:软启动控制引脚
  • COMP‌:脉冲宽度调制器输入
  • RT‌:振荡器定时电阻引脚
  • SYNC‌:振荡器UP/DOWN同步输入
  • UVLO‌:线欠压关断引脚

4. 应用场景

  • 适用于需要高效率和高功率密度的电源转换应用,如有源箝位正激电源转换器

5. 关键参数

  • 启动调节器电压‌:7.3V至7.9V
  • 参考电压精度‌:±25mV(Iref=0mA至10mA)
  • 振荡器频率范围‌:175kHz至225kHz(Tj=Tlow至Thigh)
  • PWM比较器延迟‌:COMP引脚阶跃5V至0V时,40ns
  • 热关断阈值‌:165°C

6. 设计指南

  • 电流感应‌:建议使用接近控制器的低电感类型电阻,并将噪声敏感的低功率地连接在一起
  • 振荡器同步‌:内部振荡器可以同步到外部时钟,同步频率无上限,但外部时钟频率应至少比内部振荡器自由运行频率低20%
  • 软启动‌:通过外部电容和内部90µA电流源设置软启动斜坡,故障条件下软启动电容器将完全放电并以1µA电流缓慢充电

7. 封装与环保信息

  • 封装类型‌:TSSOP-16
  • 环保信息‌:符合RoHS标准

8. 注意事项

  • 在处理集成电路时,应采取适当的静电放电(ESD)防护措施
  • 布局时应考虑关键信号线的隔离和最小化环路面积,以减少噪声干扰和寄生电感
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