HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片技术手册

概述
HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器，采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术，可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。

HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器，而且体积要小得多，性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。
数据表：*附件：HMC-MDB277 DBL-BAL混频器芯片技术手册.pdf

应用

• 短程/高容量无线电
• FCC E波段通信系统
• 汽车雷达
• 传感器
• 测试和测量设备
  特性
• 宽IF带宽： DC - 18 GHz
• 无源双平衡拓扑结构
• LO输入功率： +14 dBm
• 裸片尺寸： 1.55 x 1.4 x 0.1 mm

框图

外形图

焊盘描述

毫米波砷化镓单片微波集成电路（GaAs MMIC）的安装与键合技术

芯片应通过共晶方式或使用导电环氧直接附着到接地层（详见HMC通用操作、安装、键合说明 ）。建议使用0.127毫米（5密耳）厚的氧化铝薄膜衬底制作50欧姆微带传输线，用于芯片的射频信号输入输出（图1）。若使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜衬底，则芯片需凸起0.150毫米（6密耳），使芯片表面与衬底表面齐平。一种实现方法是先附着0.102毫米（4密耳）厚的芯片，再加上0.150毫米（6密耳）厚的钼散热片（钼片），然后将其连接到接地层（图2）。

为缩短键合线长度，微带衬底应尽量靠近芯片放置。芯片与衬底的典型间距为0.076 - 0.152毫米（3 - 6密耳）。

操作注意事项

遵循以下预防措施，避免造成永久性损坏：

• 存储 ：所有裸芯片应置于基于醚华夫格或凝胶的静电防护容器中，然后密封在静电防护袋中运输。静电防护袋一旦打开，芯片应存放在干燥的氮气环境中。
• 清洁度 ：在清洁环境中操作芯片，请勿使用液体清洁系统清洁芯片。
• 静电敏感度 ：遵循静电防护措施，防止静电冲击。
• 瞬态 ：施加偏置时，抑制仪器和偏置电源的瞬态。使用屏蔽信号线和偏置电缆，减少电感拾取。
• 一般操作 ：使用真空吸笔或锋利的弯头镊子沿芯片边缘操作。芯片表面有脆弱的空气桥，请勿用真空吸笔、镊子或手指触碰。

安装

芯片背面已金属化，可使用金锡共晶预制件或导电环氧进行芯片贴装。贴装表面应清洁平整。

• 共晶芯片贴装 ：推荐使用80/20的金锡预制件，工作表面温度255°C，工具温度265°C。使用90/10的氮氢混合气体时，工具尖端温度应为290°C。芯片温度不得超过320°C，持续时间不超20秒，贴装过程中擦拭时间不超3秒。
• 环氧贴装 ：在贴装表面涂抹少量环氧，芯片就位后其周边应形成一圈薄环氧边。按制造商固化时间表固化环氧。

引线键合

• 射频键合 ：推荐使用0.003英寸×0.0005英寸的带状键合线，热压键合，压力40 - 60克。直流键合推荐使用直径0.001英寸（0.025毫米）的键合线，热压键合。
• 球键合 ：推荐使用直径0.0015英寸（0.038毫米）的键合线进行球键合，压力18 - 22克，键合阶段温度150°C。施加最小限度的超声波能量以实现可靠键合，键合长度尽量短，小于12密耳（0.31毫米）。