HMC1065 GaAs MMIC I/Q下变频器技术手册

描述

概述
HMC1065LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC镜像抑制低噪声变频器,采用符合RoHS标准的无铅SMT封装。 该器件提供13 dB的小信号转换增益,17 dBc的镜像抑制和-2 dBm输入IP3。 HMC1065LP4E利用RF LNA和由有源X2倍频器驱动的I/Q混频器工作。 它具有IF1和IF2混频器输出,所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。 I/Q混频器拓扑结构可以减少无用边带滤波。 HMC1065LP4E为混合型镜像抑制下变频器组件的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造技术。
数据表:*附件:HMC1065 GaAs MMIC I Q下变频器技术手册.pdf

应用

  • 点对点和点对多点无线电
  • 卫星通信
  • 传感器

特性

  • 转换增益: 13 dB
  • 镜像抑制: 17 dBc
  • 输入IP3: -2 dBm
  • 24引脚4x4 mm SMT封装16 mm²

框图
GaAs

电气规格
GaAs

典型应用
GaAs

引脚描述
GaAs

外形图
GaAs

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分