HMC339 GaAs MMIC次谐波混频器芯片技术手册

概述
HMC339芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器，可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术，芯片整体面积为1.07mm²。 2LO至RF隔离性能出色，无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置（+3V至+4V）双级设计，仅需+2 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.025mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。
数据表：*附件：HMC339 GaAs MMIC次谐波混频器芯片技术手册.pdf

应用

• 33至42 GHz微波无线电
• 针对点对点无线电应用的上下变频器
• 卫星通信系统
  特性
• 集成LO放大器： +2 dBm输入
• 次谐波(x2) LO
• 高2 LO/RF隔离： >37 dB
• 裸片尺寸： 1.32 x 0.81 0.1 mm

逻辑图

电气规格

焊盘描述

装配图