HMC570 GaAs MMIC I/Q接收机芯片技术手册

概述
HMC570是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，在整个频段范围内提供10 dB的小信号转换增益、3 dB的噪声系数和17 dB的镜像抑制性能。 该设备采用LNA，后接由有源2倍频器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可消除镜像频率下的热噪声。

它具有I和Q混频器输出，所需外部90?混合型器件用于选择所需边带。 以下所示的数据均通过安装在50 Ohm测试夹具中的芯片获取，且包括每个端口上直径为1 mil、长度为20 mil的焊线效应。 该产品为混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件。
数据表：*附件：HMC570 GaAs MMIC I Q接收机芯片技术手册.pdf

应用

• 点对点
• 点对多点无线电
• 军用雷达、EW和ELINT
• 卫星通信

特性

• 转换增益： 10 dB
• 镜像抑制： 17 dB
• 2 LO至RF隔离： 35 dB
• 噪声系数： 3 dB
• 输入IP3： +3 dBm
• 裸片尺寸： 2.33 x 2.73 x 0.10mm

逻辑图

电气规格

外形图

焊盘描述

典型应用

毫米波砷化镓单片微波集成电路（GaAs MMIC）的安装与键合技术

芯片应通过共晶方式或使用导电环氧直接连接到接地层（详见HMC通用操作、安装、键合说明 ）。建议使用0.127毫米（5密耳）厚的氧化铝薄膜衬底制作50欧姆微带传输线，用于芯片的射频信号传输（图1）。如果使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜衬底，芯片需凸起0.150毫米（6密耳），使芯片表面与衬底表面齐平。实现此目的的一种方法是将0.102毫米（4密耳）厚的芯片附着到0.150毫米（6密耳）厚的钼散热片（钼片）上，然后再将其连接到接地层（图2）。

为了缩短键合线长度，微带衬底应尽可能靠近芯片放置。芯片与衬底的典型间距为0.076毫米（3密耳）。

操作注意事项

遵循以下预防措施，以免造成永久性损坏：

• 存储 ：所有裸芯片应放置在基于醚华夫格或凝胶的静电防护容器中，然后密封在静电防护袋中运输。静电防护袋一旦打开，所有芯片应存放在干燥的氮气环境中。
• 清洁度 ：在清洁环境中操作芯片，请勿使用液体清洁系统清洁芯片。
• 静电敏感度 ：遵循静电防护措施，防止静电冲击（> ±250V静电冲击）。
• 瞬态 ：施加偏置时，抑制仪器和偏置电源的瞬态。使用屏蔽信号线和偏置电缆，以减少电感拾取。
• 一般操作 ：使用真空吸笔或锋利的弯头镊子沿芯片边缘操作芯片。芯片表面可能有脆弱的空气桥，请勿用真空吸笔、镊子或手指触碰。

安装

芯片背面已金属化，可使用金锡共晶预制件或导电环氧进行贴装。贴装表面应清洁平整。

• 共晶芯片贴装 ：推荐使用80/20的金锡预制件，工作表面温度为255°C，工具温度为265°C。使用90/10的氮氢混合气体时，工具尖端温度应为290°C。请勿使芯片暴露在高于320°C的温度下超过20秒，贴装过程中擦拭时间不得超过3秒。
• 环氧贴装 ：在贴装表面涂抹少量环氧，确保芯片放置到位后，其周边能形成一圈薄环氧边。按制造商的固化时间表固化环氧。

引线键合

推荐使用直径0.025毫米（1密耳）的纯金线进行球键合或楔键合。热压超声键合时，推荐使用的典型工作台温度为150°C，球键合压力为40 - 50克，楔键合压力为18 - 22克。使用最小限度的超声波能量，以实现可靠键合。键合从芯片开始，在封装或衬底上结束。所有键合线应尽可能短，长度小于0.31毫米（12密耳）。