电源芯片U6113的主要特性

无需辅助绕组的电流过零检测技术，可省去辅助绕组和VDD电容，减少外围元件数量，还能准谐振模式降低开关损耗，集成逐周期电流限制、VDD欠压保护、过热保护等多重安全机制‌。总的来说，可显著简化电路设计，同时满足高精度、高可靠性的应用需求。银联宝电源芯片U6113具备此功能！‌

为了保证系统工作在准谐振模式下，电源芯片U6113利用检测流经内部高压MOSFET漏极和门极间寄生的米勒电容Crss的电流实现电流过零点的检测。当电感电流续流到零后，电感和高压MOSFET的输出电容开始谐振过程。此过程中MOSFET的Drain端电压开始下降，同时会有一由地到MOSFET Drain端的负向电流流经Crss电容。反之，当MOFET关断Drain端电压上升时，会有一正向电流流经Crss电容。

电源芯片U6113主要特性：

1、内部集成 550V 高压 MOSFET

2、±4% 恒流精度

3、超低 VDD 工作电流

4、准谐振工作模式提高系统效率

5、无需辅助绕组

6、集成式高压电流源提高启动速度

7、集成式线电压补偿优化调整率

8、集成式过热功率补偿

9、内部保护功能:

LED 开路和短路保护

芯片过热保护

逐周期电流限制

前沿消隐

脚位悬空保护

VDD 脚欠压保护

10、极简封装：TO-92

在电源芯片U6113内部，只要当内部高压MOSFET 关断时，5.8V的稳压器就会从芯片的Drain管脚端抽取一定的电流给VDD电容充电至5.8V；再当内部高压MOSFET导通的时候，5.8V稳压器则停止工作而芯片靠VDD电容提供供电以正常运行。由于芯片的工作电流超低，所以利用从芯片Drain管脚抽取的电流足以使其连续稳定地工作。通常情况下，建议使用1uF的VDD电容用以滤除高频噪声和作为芯片供电。

电源芯片U6113的电流过零检测技术主要通过芯片内部集成的高压检测电路或寄生参数采样实现，超低（典型值为140uA）的工作电流，综合考虑精度、成本和安全性要求，是一款经典的低耗低成本LED驱动场景应用电源方案！‌