HMC8193 2.5 GHz至8.5 GHz I/Q混频器技术手册

概述
HMC8193是一款无源同相/正交(I/Q)单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器，工作频率范围为2.5 GHz至8.5 GHz。 HMC8193的固有I/Q架构具有出色的镜像抑制能力，因此无需进行成本高昂的干扰边带滤波。 该混频器还提供出色的LO至RF和LO至IF隔离性能，并降低了LO泄漏的影响以确保信号完整性。

作为一款无源混频器，HMC8193无需任何直流电源。 相比有源混频器，它提供较低的噪声系数，从而确保针对高性能和精密应用具有出色的动态范围。

HMC8193采用GaAs MESFET工艺制造，使用ADI公司的混频器单元和90度混合器件。 该器件采用4 mm × 4 mm、24引脚紧凑型LFCSP封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。 该器件同时提供评估板。
数据表：*附件：HMC8193 2.5 GHz至8.5 GHz I Q混频器技术手册.pdf

应用

• 测试与测量仪器仪表
• 军事、航空航天和雷达
• 直接变频接收机

特性

• 无源I/Q混频器
• RF和本振(LO)范围： 2.5 GHz至8.5 GHz
• 宽IF范围：DC至3.5 GHz
• 单端RF、LO和IF
• 转换损耗： 8 dB（典型值）
• 输入三阶交调截点(IIP3)： 21 dBm（典型值）
• 高镜像抑制： 32 dBm（典型值）
• 高LO至RF隔离： 40 dB（典型值）
• 高LO至IF隔离： 40 dB（典型值）
• P相位平衡：+5°
• 降低IF滤波要求
• 裸露焊盘、4 mm × 4 mm、24引脚LFCSP封装

逻辑图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息

图118展示了HMC8193的典型应用电路。为选择合适的边带，需要一个外部90°混合耦合器。对于不需要直流工作的应用，使用片外隔直电容。对于需要在输出端抑制本振（LO）信号的应用，使用一个偏置三通/射频扼流圈，如图118所示。确保每个IF端口的源/灌电流不超过6 mA，否则会对器件造成损坏。每个IF端口的共模电压为0 V。

若将该器件用作上变频器来选择上边带：将IF1引脚连接到混合耦合器的90°端口，将IF2引脚连接到混合耦合器的0°端口。要选择下边带，将IF1引脚连接到混合耦合器的0°端口，将IF2引脚连接到90°端口。输入为混合耦合器的和端口，差分端口端接50Ω负载。

若将该器件用作下变频器来选择上边带（低边LO）：将IF1引脚连接到混合耦合器的90°端口，将IF2引脚连接到0°端口。要选择下边带（高边LO），将IF1引脚连接到混合耦合器的90°端口，将IF2引脚连接到0°端口。输出为混合耦合器的和端口，差分端口端接50Ω负载。