概述
ADAR1000 是一款适用于相控阵的 4 通道 X 和 Ku 频段波束形成内核芯片。此器件在接收和发射模式之间以半双工状态工作。在接收模式下,输入信号通过四个接收通道后在公共 RF_IO 引脚上组合在一起。在发射模式下,RF_IO 输入信号拆分后通过四个发射通道。在这两种模式下,ADAR1000 在射频 (RF) 路径中都提供 ≥31 dB 的增益调整范围和完整 360° 相位调整范围,分辨率优于 6 位(分别低于 ≤0.5 dB 和 2.8°)。
所有片内寄存器均通过简单的 4 线串行端口接口 (SPI) 进行控制。另外,SPI 可通过两个地址引脚最多控制同一串行线上的四个器件。除此之外,专用的发射和接收引脚可使同一阵列中的所有内核芯片实现同步,并通过单个引脚控制发射和接收模式之间的快速切换。
ADAR1000 采用紧凑式 88 端子 7 mm × 7 mm LGA 封装,工作温度范围为 −40°C 至 +85°C。
数据表:*附件:ADAR1000 4通道X频段和Ku频段波束形成器技术手册.pdf
应用
特性
框图
引脚配置和功能描述



典型性能特性
AVDD1 = -5伏,AVDD3 = +3.3伏,环境温度TA = 25°C,标准偏置设置。报告的增益、三阶交调截点(IP3)、1分贝压缩点功率(P1dB)和噪声系数(NF)均为单通道测量值。对于未测量的通道,偏置设置用于增益、IP3和P1dB测量;测量NF时,其他三个通道处于禁用状态,除非另有说明。
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