ADP3110A 双自举，12 V MOSFET 驱动器数据手册

ADP3110A 是一款双高电压 MOSFET 驱动器，适用于在一个非隔离同步降压功率转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET 和两个开关。 每个驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 30 ns。其中一个驱动器可以自举，适用于处理与浮动高压侧门极驱动器相关联的高电压摆率。 ADP3110A 包括了重叠驱动保护，可防止外部 MOSFET 中的击穿电流。

*附件：ADP3110A-D.PDF

特性

• 多合一同步降压转换器
• 一个 PWM 产生两个驱动器
• 防交叉传导保护电路
• 自举高侧驱动器
• 用于禁用驱动程序输出的 OD
• 与 Flex-Mode™ 控制器一起使用时满足 CPU VR 要求

1. 概述

• ‌产品名称‌：ADP3110A
• ‌类型‌：降压转换器MOSFET驱动器
• ‌封装‌：SO-8（无铅）和DFN8（无铅）
• ‌应用‌：适用于同步降压转换器拓扑中的两个N沟道MOSFET的驱动

2. 主要特性

• ‌供电电压‌：主供电电压（V CC ）范围为4.6V至13.2V
• ‌低侧驱动‌：设计用于驱动接地参考的低RDS(on) N沟道MOSFET
• ‌高侧驱动‌：设计用于驱动浮动的低RDS(on) N沟道MOSFET，使用内部或外部二极管和外部自举电容实现
• ‌安全特性‌：包括安全定时器、重叠保护电路和欠压锁定（UVLO）
• ‌传播延迟‌：高侧和低侧驱动器的传播延迟时间具体指定
• ‌封装选项‌：提供SO-8和DFN8两种封装选项

3. 功能描述

• ‌高侧驱动‌：通过自举电路实现高侧MOSFET的驱动，自举电容在SW引脚接地时通过自举二极管充电
• ‌低侧驱动‌：直接由VCC供电，设计用于驱动接地参考的MOSFET
• ‌安全定时器‌：防止MOSFET同时导通，避免射通或交叉导通损坏
• ‌重叠保护‌：监测两个MOSFET的栅极电压和开关节点电压，确保安全关断和开启
• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：在VCC电压低于指定阈值时，禁用驱动器输出

4. 应用信息

• ‌理论操作‌：ADP3110A适用于高电流多相降压调节器，可直接将12V电源转换为复杂逻辑芯片所需的核心电压
• ‌电源去耦‌：建议在电源和地引脚附近放置低ESR电容器，以维持稳定的VCC电压
• ‌自举电路‌：自举电容和二极管的选择需根据高侧MOSFET的栅极电荷和允许的电压下降来确定

5. 封装与尺寸

• ‌SO-8封装‌：提供详细的封装尺寸图和引脚布局
• ‌DFN8封装‌：同样提供详细的封装尺寸图和引脚布局，包括无铅标识和引脚1的参考标识

6. 注意事项

• ‌静电放电（ESD）保护‌：PWM输入和输出禁用引脚具有内部ESD保护，但在正常操作中呈现相对较高的输入阻抗
• ‌外部组件选择‌：自举电容必须能够承受最大供电电压的两倍，且应选用高质量陶瓷电容
• ‌使用条件‌：所有电压均相对于PGND，除非另有说明；电气特性在V CC =12V，T A =0°C至+85°C，T J =0°C至+125°C的条件下测量