TLV840-Q1系列 具有可调复位时间延迟和手动复位功能的汽车级低压监控器数据手册

描述

TLV840-Q1 器件是一款电压监控器或复位 IC,可在 0.7 V 至 6 V 的宽输入电压水平下工作,同时在整个 VDD 和温度范围内保持极低的静态电流。TLV840-Q1 提供了低功耗、高精度和低传播延迟 (t p_HL = 30 μs(典型值)的

当 VDD 上的电压降至负电压阈值 (V 以下) 时,复位输出信号被置位 它- ).当 VDD 上升到 V 以上时,复位信号被清除 它- 加上磁滞 (V HYS 公司 ) 和复位时间延迟 (t D ) 过期。复位时间延迟可以通过在 CT 引脚和接地之间连接电容器来编程。对于最小 reset delay 时间, CT pin 可以保持悬空。TLV840-Q1 具有手动复位引脚 (MR),可在引脚置位时强制系统进行硬复位,从而提供程序灵活性。
*附件:TLV840-Q1 具有可调复位时间延迟的毫微功耗电压监控器数据表.pdf

附加功能:低上电复位电压 (V POR的 )、内置 VDD 抗干扰保护、内置磁滞、低漏极开路输出漏电流 (I lkg(外径) ).TLV840-Q1 是适用于汽车应用和电池供电/低功耗应用的完美电压监控解决方案。

特性
适用于汽车应用:

  • 符合 AEC-Q100 标准,结果如下:
    • 器件温度等级 1:-40°C 至 +125°C 环境工作温度
    • 器件 HBM ESD 分类 2 级
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C7B

专为高性能而设计:

  • 纳米电源电流:120 nA(典型值)
  • 高精度:±0.5%(典型值)
  • 内置磁滞 (V HYS 公司 ): 5% (典型值)
  • 固定阈值电压 (V 它- ):0.8 V 至 5.4 V

专为广泛的应用而设计:

  • 工作电压范围:0.7 V 至 6 V
  • 固定 (V 它- ) 电压:0.8 V 至 5.4 V,步长为 0.1 V
  • 可编程复位时间延迟 (t D )
    • 最小时间延迟:40 μs(典型值),无电容器
  • /手动复位 (MR)

多种输出拓扑 / 封装类型:

  • 四种输出拓扑 (RESET / RESET):
    • TLV840MADL-Q1: 漏极开路、低电平有效
    • TLV840MAPL-Q1: 推挽式、低电平有效
    • TLV840MADH-Q1: 漏极开路、高电平有效
    • TLV840MAPH-Q1: 推挽式,高电平有效
  • 封装:SOT23-5 (DBV)

参数
静态电流

1. 产品概述

  • 类型‌:具有可调复位时间延迟的毫微功耗电压监控器。
  • 应用‌:专为汽车应用和电池供电/低功耗应用设计。
  • 封装‌:SOT23-5(DBV)封装。

2. 主要特点

  • AEC-Q100认证‌:适用于汽车应用,满足严苛的环境和可靠性要求。
  • 低功耗‌:典型静态电流为120nA,有助于延长电池寿命。
  • 高精度‌:监控阈值电压精度高达±0.5%。
  • 可调复位时间延迟‌:通过连接外部电容器到CT引脚,可编程复位时间延迟从40µs到6.2秒。
  • 手动复位功能‌:具有MR(手动复位)引脚,允许通过外部信号强制系统复位。
  • 多种输出拓扑‌:提供四种输出拓扑结构(DL、PL、DH、PH),满足不同的应用需求。

3. 功能描述

  • 输入电压监控‌:监控VDD引脚电压,当电压低于设定的阈值电压时触发复位信号。
  • 复位时间延迟‌:复位信号在VDD电压恢复到阈值电压以上并加上滞后电压后,经过设定的复位时间延迟才解除。
  • 手动复位‌:通过将MR引脚拉低并保持一定时间,可以强制触发复位信号。
  • 滞后功能‌:内置滞后电压,防止因电压波动而引起的误复位。

4. 电气特性

  • 工作电压范围‌:0.7V至6V。
  • 固定阈值电压‌:可选范围从0.8V到5.4V,步长为0.1V。
  • 低电源上电复位电压‌:确保设备在电源稳定后才开始正常工作。
  • 输出特性‌:提供低电平有效和高电平有效的复位信号,支持开漏和推挽输出。

5. 应用领域

  • 汽车应用‌:如环绕视图系统、前摄像头、汽车网关、雷达ECU等。
  • 电池供电设备‌:如便携式电子设备、可穿戴设备等。
  • 低功耗应用‌:如物联网设备、传感器节点等。

6. 典型应用电路

  • 双轨电压监控与上电排序‌:使用两个TLV840-Q1设备监控两个独立的电压轨,并确保在上电时按照正确的顺序启动。
  • 系统复位‌:将TLV840-Q1的复位输出连接到微控制器的复位引脚,以实现系统级的复位功能。

7. 布局与设计指南

  • 电源去耦‌:在VDD引脚附近放置0.1µF至1µF的旁路电容,以减少电源噪声。
  • CT引脚电容‌:如需调整复位时间延迟,应在CT引脚附近放置合适容量的电容器。
  • MR引脚处理‌:如果未使用MR引脚,应将其悬空或连接到VDD。
  • 输出上拉电阻‌:对于开漏输出拓扑,需要在RESET引脚外部连接上拉电阻。

8. 封装与尺寸

  • 封装类型‌:SOT23-5(DBV)。
  • 尺寸‌:2.90mm x 1.60mm。
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