CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、双共漏 SON 3mm x 3mm、5.5mOhm数据手册

CSD87313DMS 是一款 30V 共漏极、双 N 通道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。这款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源极到源导通电阻，可最大限度地减少损耗，并为空间受限的应用提供低元件数量。
*附件：CSD87313DMS 30V 双通道 N 沟道 NexFET 功率 MOSFET 数据表.pdf

特性

• 低源极到源极导通电阻
• 双通道共漏极 N 沟道 MOSFET
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 低 Qg和 QGD
• Low-Thermal Resistance
• 雪崩评级
• 无铅端子电镀
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

参数

方框图

1. 产品概述

• ‌型号‌：CSD87313DMS
• ‌类型‌：30V 双通道 N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
• ‌封装‌：SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
• ‌特点‌：低源到源导通电阻、双共漏N沟道MOSFET、优化5V栅极驱动、低栅极电荷（Q_g 和 Q_gd）、低热阻、雪崩额定、无铅端子镀层、RoHS合规、无卤素

2. 应用领域

• USB Type-C™ 和电源传输（PD）总线保护
• 电池保护
• 负载开关

3. 主要规格

• ‌ 源到源电压（V_S1S2） ‌：30V
• ‌ 栅极到源极电压（V_GS） ‌：±10V
• ‌ 连续源电流（I_S1S2） ‌：17A
• ‌ 脉冲源电流（I_SM） ‌：120A（T_A = 25°C，占空比≤2%，脉冲持续时间≤300µs）
• ‌ 功率耗散（P_D） ‌：2.7W（典型R_θJA = 45°C/W）
• ‌ 最大结温（T_J, T_stg） ‌：-55°C 至 150°C
• ‌ 雪崩能量（E_AS） ‌：67mJ（单脉冲，I_D = 37A，L = 0.1mH，R_G = 25Ω）

4. 电气特性

• ‌静态特性‌：
  • 源到源泄漏电流（I_S1S2）：1µA（V_G1S1=0V, V_G2S2=0V, V_S1S2=24V）
  • 栅极到源极泄漏电流（I_GSS）：100nA（V_S1S2=0V, V_GS=10V）
  • 栅极到源极阈值电压（V_GS(th)）：0.6V 至 1.2V（V_S1S2=V_GS, I_S1S2=250µA）
  • 源到源导通电阻（R_S1S2(on)）：4.6mΩ 至 9.6mΩ（V_GS = 2.5V 至 4.5V, I_S1S2 = 20A 至 23A）
• ‌动态特性‌：
  • 输入电容（C_ISS）：3300pF 至 4290pF（V_GS=0V, V_S1S2=15V, f=1MHz）
  • 输出电容（C_OSS）：281pF 至 365pF
  • 反向传输电容（C_RSS）：154pF 至 200pF
  • 栅极电荷（Q_g）：28nC（V_S1S2=15V, I_S1S2=23A, V_G1S1=4.5V, V_G2S2=0V）
  • 栅极到漏极电荷（Q_gd）：6.0nC
  • 开启延迟时间（t_d(on)）：9ns
  • 上升时间（t_r）：27ns
  • 关断延迟时间（t_d(off)）：41ns
  • 下降时间（t_f）：13ns
• ‌二极管特性‌：
  • 最大连续源到源二极管正向电流（I_fss）：2A（V_G1S1=0V, V_G2S2=4.5V）
  • 源到源二极管正向电压（V_fss）：0.8V 至 1.0V（V_G1S1=0V, V_G2S2=4.5V, I_fss=23A）

5. 热信息

• ‌ 结到环境热阻（R_θJA） ‌：45°C/W（安装在1in² 2-oz Cu板上）或 125°C/W（安装在最小2-oz Cu板上）

6. 封装与订购信息

• ‌封装类型‌：SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
• ‌可订购型号‌：CSD87313DMS（2500片/13英寸卷带）和CSD87313DMST（250片/7英寸卷带）