HMC-XTB110 无源x3倍频器，24-30GHz输入技术手册

概述
HMC-XTB110是一款单芯片x3无源倍频器，采用GaAs肖特基二极管技术，具有低转换损耗和高度Fo隔离。 这款宽带x3倍频器无需直流电源，适用于低频率的3倍频率比直接生成高频率更加经济的大规模应用。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化。 HMC-XTB110无源x3 MMIC可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。
数据表：*附件：HMC-XTB110 无源x3倍频器，24-30GHz输入技术手册.pdf

应用

• E波段通信系统
• 短程/高容量无线电
• 汽车雷达
• 测试和测量设备
• 卫星通信

特性

• 转换损耗： 19 dB
• 输入驱动： +13 dBm
• 无源： 无需直流偏置
• 裸片尺寸： 1.1 x 1.4 x 0.1 mm

框图

电气规格

外形图

毫米波砷化镓单片微波集成电路（GaAs MMIC）的安装与键合技术

芯片应通过导电方式直接连接到接地层，或使用导电环氧树脂进行连接（详见HMC通用操作、安装、键合说明）。建议在0.127毫米（5密耳）厚的氧化铝薄膜微带线上布置50欧姆的微带传输线，用于传输射频信号并连接至芯片（见图1）。如果使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜衬底，需将芯片抬高0.150毫米（6密耳），使芯片表面与衬底表面齐平。实现这一点的一种方法是将0.102毫米（4密耳）厚的芯片连接到0.150毫米（6密耳）厚的钼散热片（钼片）上，然后将钼片连接到接地层（见图2）。

微带衬底应尽可能靠近芯片放置，以减小键合线长度。典型的芯片与衬底间距为0.076毫米至0.152毫米（3至6密耳）。

操作注意事项

遵循以下预防措施，以免造成永久性损坏。

• 存储 ：所有裸芯片应放置在防静电华夫盒或凝胶基防静电容器中，然后密封在防静电袋中运输。防静电袋开封后，芯片应存放在干燥的氮气环境中。
• 清洁度 ：在清洁环境中操作芯片。请勿使用液体清洁系统清洁芯片。
• 静电敏感性 ：遵循防静电措施，防止静电冲击。
• 瞬态 ：施加偏置时，抑制仪器和偏置电源的瞬态。使用屏蔽信号和偏置电缆，以减少电感耦合。
• 一般操作 ：使用真空吸笔或锋利的弯头镊子夹持芯片边缘。芯片表面可能有脆弱的空气桥，请勿用真空吸笔、镊子或手指触碰。

安装

芯片背面有金属化层，可使用金锡共晶预制件或导电环氧树脂进行芯片安装。安装表面应保持清洁和平整。

• 共晶焊接 ：建议使用80/20金锡预制件，工作表面温度为255°C，工具温度为265°C。使用90/10氮气/氢气混合气体时，工具尖端温度应为290°C。芯片温度超过320°C的时间不得超过20秒。连接过程中擦拭时间不应超过3秒。
• 环氧树脂粘贴 ：在安装表面涂抹适量环氧树脂，确保芯片放置到位后，其周边出现一圈薄的环氧树脂边。按照制造商的固化时间表固化环氧树脂。

引线键合

建议使用0.003英寸×0.0005英寸的带状射频键合线。这些键合线应采用热超声键合，键合力为40 - 60克。推荐使用直径0.001英寸（0.025毫米）的直流键合线，采用热超声键合。球键合的键合力应为40 - 50克，楔形键合的键合力应为18 - 22克。所有键合应在标称阶段温度150°C下进行。为实现可靠键合，应施加最小量的超声能量。所有键合线应尽可能短，长度小于12密耳（0.31毫米）。