方正微电子推出第二代车规主驱SiC MOS产品

2025年4月16日，在上海举行的三电关键技术高峰论坛上，方正微电子副总裁彭建华先生正式发布了第二代车规主驱SiC MOS 1200V 13mΩ产品，性能达到国际头部领先水平。方正微电子第二代车规主驱SiC MOS在第一代的高可靠基础上，进一步提升性能，缩小Die size，提升FOM值，实现了在行业主流芯片面积需求条件下性能提升，可靠性3倍于行业通用认证要求：高导通电阻（13mΩ）、高击穿电压（>1500V）、高阈值电压（3V）、高可靠性（＞3000小时）以及可支持1000VDC电驱系统”等特点。

这标志着方正微电子作为国内领先的三代半IDM企业，在车规SiC MOS领域，持续引领中国三代半发展！

方正微电子的车规主驱第一代SiC MOS早已大规模上车，预计2025年将实现上乘用车主驱几十万辆车的新跨越。方正微电子车规/工规SiC全系产品聚焦新能源车、光储充、UPS、工业电源、AI服务器以及新兴应用机器人、eVTOL、电动船舶等应用领域，已大规模出货，服务行业客户。

（备注：方正微电子第二代车规主驱SiC MOS对标行业头部友商最新的第四代车规主驱产品）