TPSM83100 和 TPSM83101 是恒频峰值电流模式控制降压-升压 MicroSiP™ 电源模块,针对小尺寸解决方案和高效率进行了优化。电源模块集成了一个电感器,以简化设计、减少外部元件并节省 PCB 面积。它们具有 3A 峰值电流限制 (典型值) 和 1.6V 至 5.5V 输入电压范围。TPSM83100 和 TPSM83101 为系统预稳压器和稳压器提供电源解决方案。
*附件:tpsm83100.pdf
根据输入电压,当输入电压大致等于输出电压时,TPSM83100 和 TPSM83101 会自动以升压、降压或 3 周期降压-升压模式运行。模式之间的转换以定义的占空比进行,并避免了模式内不必要的切换,以减少输出电压纹波。8μA 静态电流和省电模式可在轻负载至空载条件下实现最高效率。
特性
- 1.6V 至 5.5V 输入电压范围
- 1.2V 至 5.5V 输出电压范围
- 高输出电流能力,3A 峰值开关电流
- 1.5A Iout,用于 VIN ≥ 3V,VOUT = 3.3V
- 1.2A Iout,VIN ≥ 2.7V,VOUT = 3.3V
- 有源输出放电(仅限 TPSM83101)
- 在整个负载范围内实现高效率
- 8μA 典型静态电流
- 自动省电模式和强制 PWM 模式
- 峰值电流降压-升压模式架构
- 无缝模式转换
- 正向和反向电流作
- 启动至预偏置输出
- 固定频率作,开关频率为 2MHz
- 安全和坚固的作特点
- 过流保护和短路保护
- 集成软启动,主动提升采用
- 过热保护和过压保护
- 带负载断开的真正关断功能
- 正向和反向电流限制
- 小解决方案尺寸
- 带集成电感器的 MicroSiP™ 功率模块
- 2.0mm × 2.6mm × 1.2mm(最大) 8 引脚 μSiP 封装
参数

方框图

1. 主要特性
- 输入电压范围:1.6V 至 5.5V(启动电压 > 1.65V)
- 输出电压范围:1.2V 至 5.5V(PFM模式下支持1.0V)
- 输出电流能力:
- TPSM83100/1:1.5A(VIN ≥ 3V, VOUT = 3.3V)
- TPSM83100:1.2A(VIN ≥ 2.7V, VOUT = 3.3V)
- 峰值开关电流:3A
- 高效率:全负载范围内高效率,典型静态电流8μA
- 操作模式:自动电源节省模式和强制PWM模式
- 保护功能:过流保护、短路保护、过温保护、过压保护、真关断功能
- 小尺寸解决方案:集成电感器的MicroSiP™功率模块,2.0mm × 2.6mm × 1.2mm(最大)8引脚μSiP封装
2. 应用领域
- 电压稳定器:数据通信、光模块、冷却/加热系统
- 系统预调节器:智能手机、平板电脑、终端、车载信息娱乐系统
- 负载点调节:有线传感器、端口/线缆适配器、多功能USB设备
- 指纹和摄像头传感器:电子智能锁、IP网络摄像头
3. 功能描述
- 模式选择(PFM/PWM) :
- PFM模式:自动进入,以维持轻载至无载条件下的高效率
- PWM模式:强制启用,以实现最小输出纹波
- 输出放电(TPSM83101特有):提供主动下拉电流以快速放电输出,防止输出浮动或进入不确定状态
- 反向电流操作:在FPWM模式下支持反向电流操作(电流从VOUT流向VIN)
- 软启动:集成软启动功能,带有主动斜坡适应
4. 保护特性
- 输入过压保护:防止电流从输出流向输入时损坏设备
- 输出过压保护:防止外部反馈引脚失效时损坏设备
- 短路保护:具有峰值电流限制性能,在短路或过载情况下保护设备
- 热关断:监测芯片温度,超过典型热阈值160°C时停止工作
5. 封装与尺寸
- 封装类型:MicroSiP™ 8引脚μSiP封装
- 尺寸:2.0mm × 2.6mm × 1.2mm(最大)
6. 典型应用电路
- 电路组成:包括输入电容、输出电容、使能引脚(EN)、模式选择引脚(MODE)、反馈引脚(FB)等
- 设计指南:推荐输出电容47μF,输入电容22μF,使用陶瓷电容并尽可能靠近模块放置
7. 热性能
- 热阻:θJA = 48.9°C/W(标准EVM)
- 结温范围:–40°C至150°C(结温),–65°C至150°C(存储温度)
8. 电气特性
- 开关频率:约2MHz
- 启动延迟:EN引脚上升沿后的启动延迟时间0.87ms至1.5ms
- 软启动时间:6.42ms至58.68ms
9. 文档与支持
- 设计工具:可使用TI的WEBENCH® Power Designer进行自定义设计
- 支持资源:TI E2E™支持论坛提供快速验证答案和设计帮助
10. 注意事项
- 布局指南:输入和输出电容应尽可能靠近模块放置,以减少寄生电感和电阻
- 静电放电(ESD)防护:处理集成电路时需采取适当的预防措施,以防ESD损坏