从开槽到分层切割：划片机阶梯式进刀技术对刀具磨损的影响分析

划片机分层划切工艺介绍‌

一、‌定义与核心原理‌
 

分层划切工艺是一种针对硬脆材料（如硅晶圆、陶瓷）的精密切割技术，通过分阶段控制切割深度和进给速度，减少材料损伤并提高切割质量。其核心原理是通过“阶梯式”分层切割方式，逐步完成切割深度的控制‌。
 

二、‌工艺流程与关键技术‌

开槽划切（首次切割）‌
 

采用较小的进给深度（通常为总切割深度的10%~30%），通过高速旋转的金刚石刀片进行初步开槽。
 

作用‌：降低刀具受力、减少切割道正面崩边及刀具磨损‌。

参数控制‌：主轴转速（3万~6万转/分）与工作台移动速度需协同优化，确保切割稳定性‌。

分层划切（后续切割）‌
 

沿首次切割的划切道继续分层进给，逐步增加切割深度，直至完成全厚度切割。
 

关键要求‌：每层切割需保持一致的切割轨迹，避免因偏离导致背面崩边或晶圆破损‌。

切割膜厚度控制‌
 

过深风险‌：切透切割膜会导致真空吸附失效，晶圆无法固定‌。
 

过浅风险‌：背面崩边严重，影响芯片良率‌。

解决方案‌：通过传感器实时监控切割深度，确保最后一层切割深度精准‌。

三、‌技术优势‌

降低刀具磨损‌：分层切割分散了单次切割的应力，延长刀具寿命‌。

提升良率‌：减少崩边和微裂纹，适用于超薄晶圆（如50μm厚度）的加工‌。

适应复杂工艺‌：支持高克重堆叠工艺、应力释放开槽等需求，如NAND/DRAM芯片的堆叠封装‌。

四、‌应用场景‌

超薄晶圆加工‌：如12英寸晶圆的半切工艺，满足先进封装需求（如COWOS封装）‌。

高精度封装器件‌：QFN、BGA等集成电路的无膜划切，需配合全自动分选检测设备实现高效加工‌。

新兴材料切割‌：如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体的分层切割‌。

五、‌工艺发展趋势‌

自动化集成‌：结合视觉检测、自适应控制算法，实现分层切割参数的动态调整‌。

多工艺融合‌：与研磨、抛光等工序集成，形成研抛一体化的全自动设备‌。

通过分层划切工艺，划片机在半导体封装领域实现了高精度、低损伤的切割需求，成为先进封装技术的重要支撑‌。