概伦电子功率器件及电源芯片设计分析验证工具PTM介绍

PTM功率器件及电源芯片设计分析验证

产品简介

PTM是一款应用于功率器件和电源芯片的设计分析套件，支持高精度提取Rdson、验证器件的开关行为，以此提高IC产品的可靠性和寿命，已获得顶级IDM和设计公司的认可和采用。

PTM采用先进的3D求解器和简洁易用的查看器，用户可以轻松进行交叉关联分析，并通过场景视图直观查看分析结果。

结合专有的边缘基三维网格生成技术和64位数值求解器，PTM能够精确地计算金属、多晶互连和过孔的非均匀电流分布，并利用仿真键合线精确提取大功率晶体管阵列的Rdson。

PTM还可协助展示版图的电流密度、电迁移违规问题，其中电流密度和电压分布可通过2D或横切部面图形式呈现。设计师可通过局部增加网格密度提高精度，并充分掌控终端布局与激励情况，搭配电压控制电压源(VCVS)的测试台，以辅助高精度传感器件设计。

同时，PTM支持功率器件Die、Package和PCB的协同设计，以实现系统最佳热性能，满足电热需求，并避免过度设计或封装成本的大幅增加。

产品优势

高精提取

·支持高精度提取和优化Rdson

高效验证

·仿真、验证器件中的电迁移问题、IR drop问题和门级延迟问题

大容量&高速

·支持大容量、高速仿真

功能强大

·确保器件可靠性和使用寿命技术规格

技术先进

·领先的结构“全角度”网格生成器和高精准3D场求解技术

系统集成

·支持功率器件Die/Package/PCB协同设计

用户友好

·直观的图形用户界面，易于设置和使用

技术规格

·Rdson提取

-模拟功率器件布局以降低Rdson

-通过检查电流密度/电迁移确保可靠性

·Gate Delay验证分析

-模拟功率晶体管gate net传播延迟

-使用gate net分布式模型

-提取金属和聚合物线路电阻

-以分布式方式对活性区的电容建模

-用户可选择分布式模型中的分段数量

·电热验证分析

-芯片/封装级3D热电耦合和可靠性分析

-计算金属和活性区的动态电流和焦耳自加热

-对芯片和封装中的热控分布进行建模

-支持热规划

·支持非线性温度相关模型

-3D求解器自洽求解电和热方程

-硅精准

-支持GDSII导入

产品应用

·数模混合功率器件设计

·汽车功率器件设计

·PMIC开关电源功率器件设计

·DC-DC转换器功率器件设计

·高压开关功率器件设计

·大型数字芯片片上电源管理优化

·功率器件Die/Package/PCB协同设计

应用实例

IR drop/电压验证分析

电流密度验证分析

Gate Delay验证分析

电热验证分析