ADRF5714硅数字衰减器,1位,100MHz至30GHz技术手册

描述

概述
ADRF5714 是一款 1 位硅工艺数字衰减器,具有 16 dB 衰减率,并且支持无干扰操作。

该套件的工作频率范围为 100 MHz 至 30 GHz,具有优于 1.3 dB 的插入损耗和出色的衰减精度。ADRF5714 的 ATTIN 端口具有 30 dBm 平均和 33 dBm 峰值的 RF 输入功率处理能力。

ADRF5714 需要 +3.3 V 和 −3.3 V 的双电源电压。此套件采用互补金属氧化物半导体 (CMOS)-/低电压晶体管至晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容控制。

ADRF5714 还可使用单一正电源电压 (V DD ) 工作。负电源电压 (V SS ) 接地。有关更多详细信息,请参见数据手册的“工作原理”部分。

ADRF5714 射频端口旨在匹配 50 Ω 的特性阻抗。ADRF5714 采用符合 RoHS 标准的 12 端子、2.25 mm × 2.25 mm、LGA 封装, 并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
数据表:*附件:ADRF5714硅数字衰减器,1位,100MHz至30GHz技术手册.pdf

应用

  • 工业扫描仪
  • 测试和仪器仪表
  • 蜂窝基础设施:5G 毫米波
  • 军用射频、雷达和电子对抗措施 (ECM)
  • 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)

特性

  • 超宽带频率范围:0.1 GHz 至 30 GHz
  • 16 dB 单一衰减步长
  • 低插入损耗
    • 0.7 dB (8 GHz)
    • 0.9 dB (18 GHz)
    • 1.3 dB (30 GHz)
  • 衰减精度:±0.20 dB 典型值,最高 30 GHz
  • 高输入线性度
  • P0.1dB 插入损耗状态:33 dBm
  • P0.1dB 16 dB 衰减状态:29 dBm
  • IP3 插入损耗路径:57 dBm(典型值)
  • IP3 16 dB 衰减状态:49 dBm(典型值)
  • 高 RF 功率处理能力
    • 30 dBm(典型值)稳态平均值
    • 33 dBm(典型值)稳态峰值
  • RF 幅度建立时间(0.1 dB 最终 RF OUT ):110 ns
  • 支持单电源工作
  • 在相对相位中实现紧密分布
  • 无低频杂散信号
  • 与 CMOS/LVTTL 兼容
  • 12 端子 2.25 mm x 2.25 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装

框图
硅工艺

引脚配置描述
硅工艺

接口示意图
硅工艺

典型性能特征
硅工艺

应用信息

射频传输线采用共面波导(CPWG)模型设计,走线宽度为16密耳,与接地层的间距为6密耳,特性阻抗为50Ω。为实现最佳射频和热接地效果,应通过尽可能多的过孔,围绕器件的外露焊盘进行布线。
射频输入和输出端口(ATTIN和ATTOUT)通过50Ω传输线连接。VDD和VSS电源引脚通过一个100 pF的旁路电容来滤除高频噪声。图20展示了ADRF5714的简化应用电路。
硅工艺

印刷电路板(PCB)设计建议

射频端口需匹配50Ω阻抗,引脚设计为与PCB上的50Ω CPWG具有匹配的特性阻抗。图21展示了ADRF5714射频走线的推荐CPWG射频电路设计,采用两层12密耳厚的Rogers RO4003C介电材料。对于2.2密耳成品铜厚,建议采用宽度为16密耳、间距为6密耳的射频走线。
硅工艺

图22展示了射频走线、电源和控制信号在ADRF5714上的布线情况。接地层通过尽可能多的过孔连接,以实现最佳射频和热接地效果。
硅工艺

图23展示了ADRF5714从ATTIN和ATTOUT引脚到参考堆叠上50Ω CPWG的推荐布局。PCB焊盘按1:1比例绘制为器件焊盘。接地焊盘按阻焊层定义绘制,信号焊盘按焊盘限定绘制。从PCB焊盘引出的射频走线以45°角延伸。焊膏掩模也经过设计,以匹配焊盘的阻抗降低需求。焊膏掩模被划分为多个开口。
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