ADRF5716硅数字衰减器，2位，100MHz至30GHz技术手册

概述
ADRF5716 是一款 2 位硅数字衰减器，具有 48 dB 衰减控制范围（步长为 16 dB），支持无干扰操作。

该套件的工作频率范围为 100 MHz 至 30 GHz，具有优于 2.9 dB 的插入损耗和高于 1.5 dB 的衰减精度。ADRF5716 的 ATTIN 端口在所有状态下均具有 30 dBm 平均和 33 dBm 峰值的 RF 输入功率处理能力。

ADRF5716 需要 +3.3 V 和 −3.3 V 的双电源电压。此套件具有并行模式控制以及与互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容的控制。

ADRF5716 也可以在单个正电源电压 (V DD ) 下工作，同时负电源电压 (V SS ) 接地。有关更多详细信息，请参见数据手册的“工作原理”部分。

ADRF5716 射频端口旨在匹配 50 Ω 的特性阻抗。ADRF5716 采用符合 RoHS 标准的 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列 [LGA] 封装，并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
数据表：*附件：ADRF5716硅数字衰减器，2位，100MHz至30GHz技术手册.pdf

应用

• 工业扫描仪
• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施：5G 毫米波
• 军用射频、雷达和电子对抗措施 (ECM)
• 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)

特性

• 超宽带频率范围：0.1 GHz 至 30 GHz
• 衰减范围：最高 48 dB，步进为 16 dB
• 低插入损耗
  • 1.6 dB (8 GHz)
  • 2.2 dB (18 GHz)
  • 2.9 dB (30 GHz)
• 衰减精度
• ±（0.25 + 3.6 % 的衰减状态）dB，通常高达 8 GHz
• ±（0.10 + 1.8 % 的衰减状态）dB，通常高达 18 GHz
• ±（0.50 + 2.8% 的衰减状态）dB，通常高达 30 GHz
• 典型步进误差
• ± 0.7 dB 典型值，最高 8 GHz
• ±1.0 dB 典型值，最高 18 GHz
• ±1.5 dB 典型值，最高 30 GHz
• 高输入线性度
  • P0.1dB 插入损耗状态：30 dBm（典型值）
  • P0.1dB 其他衰减状态：30 dBm（典型值）
  • IIP3：50 dBm（典型值）
• 高 RF 功率处理能力
• 平均值为 30 dBm
• 峰值为 33 dBm
• RF 幅度建立时间（0.1 dB 最终 RF OUT ）：130 ns
• 支持单电源工作
• 在相对相位中实现紧密分布
• 无低频杂散信号
• 并行模式控制，与 CMOS-/LVTTL 兼容
• 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列 [LGA]

框图

功率降额曲线

引脚配置描述

接口示意图

应用信息

射频传输线采用共面波导（CPWG）模型设计，线宽为16密耳，与接地层间距为6密耳，特性阻抗为50Ω 。为实现最佳射频和热接地效果，应围绕传输线及器件外露焊盘布置尽可能多的过孔。
射频输入和输出端口（ATTIN和ATTOUT）通过50Ω传输线连接。在VDD和VSS电源引脚上，使用一个100 pF的旁路电容来滤除高频噪声。图21展示了ADRF5716的简化应用电路。

印刷电路板（PCB）设计建议

射频端口内部匹配至50Ω ，引脚设计为与PCB上的50Ω CPWG具有匹配的特性阻抗。图22展示了ADRF5716在12密耳厚Rogers RO4003介电材料射频基板上的推荐CPWG射频电路设计。对于2.2密耳成品铜厚，建议采用线宽16密耳、间距6密耳的射频走线。

图23展示了ADRF5716的射频走线、电源和控制信号的布线情况。接地层通过尽可能多的过孔连接，以实现最佳射频和热接地效果。该器件的主要散热路径在底部。
图24展示了ADRF5716从ATTIN和ATTOUT引脚到参考堆叠上50Ω CPWG的推荐布局。PCB焊盘按1:1比例绘制为器件焊盘。接地焊盘按阻焊层定义绘制，信号焊盘按焊盘限定绘制。从PCB焊盘引出的射频走线以45°角延伸。焊膏掩模也经过设计，以匹配焊盘而无开口缩减。焊膏掩模被划分为多个开口。

对于具有不同介电厚度和CPWG设计的替代PCB堆叠，请联系亚德诺半导体技术支持，以获取进一步的建议。