ADRF5717数字步进衰减器， 2-Bit, 1MHz至30GHz技术手册

概述
ADRF5717是一款2位硅数字衰减器，衰减范围为48 dB，步进为16 dB，支持无毛刺操作。

ADRF5717的工作频率范围为1 MHz至30 GHz，插入损耗优于2.8 dB，衰减精度优于3.3 dB。

ADRF5717的ATTIN和ATTOUT端口具有30 dBm稳态平均值和33 dBm稳态峰值的RF功率处理能力。

ADRF5717需要+3.3 V和-3.3 V的双电源电压供电。该器件具有并行模式控制和互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。

当负电源电压(V DD )接地时，ADRF5717也可在单一正电源电压(VDD)下工作。更多信息参见工作原理部分。

ADRF5717 RF端口设计用于匹配50 Ω的特征阻抗。ADRF5717采用符合RoHS标准的20引脚、3 mm × 3 mm LGA封装，工作温度范围为−40℃至+105℃。
数据表：*附件：ADRF5717数字步进衰减器， 2-Bit, 1MHz至30GHz技术手册.pdf

应用

• 工业扫描仪
• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施：5G毫米波
• 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)

特性

• 宽带频率范围：1 MHz至30 GHz
• 衰减范围：典型步进16 dB，最大可达48 dB
• 低插入损耗
  • 1.5 dB至8 GHz
  • 2.0 dB至18 GHz
  • 2.8 dB至30 GHz
• 衰减精度
  • ±（0.20 + 2.3%衰减状态）dB（典型值，高达8 GHz）
  • ±（0.30 + 3.2%衰减状态）dB（典型值，高达18 GHz）
  • ±（0.30 + 6.5%衰减状态）dB（典型值，高达30 GHz）
• 典型步进误差
  • ±0.8 dB（典型值，高达8 GHz）
  • ±1.3 dB（典型值，高达18 GHz）
  • ±3.3 dB（典型值，高达30 GHz）
• 高输入线性度
  • P0.1dB插入损耗状态：30 dBm（典型值）
• P0.1dB其他衰减状态：30 dBm（典型值）
• IP3插入损耗状态：51 dBm（典型值）
• IP3其他衰减状态：49 dBm（典型值）
• 高RF功率处理
  • ATTIN和ATTOUT的输入
    • 30 dBm典型稳态平均值
    • 33 dBm典型稳态峰值
• RF幅度建立时间（与最终RFOUT相差0.1 dB）：6.6 μs（典型值）
• 支持单电源供电
• 相对相位中的紧凑分布
• 无低频杂散信号
• 并行模式控制，兼容CMOS/LVTTL
• 20引脚、3 mm x 3 mm、栅格阵列(LGA)封装

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息

射频传输线采用共面波导（CPWG）模型设计，线宽为16密耳，与接地层间距为6密耳，特性阻抗为50Ω。为实现最佳射频和热接地效果，应围绕传输线及器件下方布置尽可能多的过孔。
射频输入和输出端口（ATTIN和ATTOUT）通过50Ω传输线连接。在VDD和VSS电源引脚上，接有一个100 pF的旁路电容来滤除高频噪声。图21展示了ADRF5717的简化应用电路。

印刷电路板（PCB）设计建议

射频端口内部匹配至50Ω，引脚设计为与PCB上的50Ω CPWG具有匹配的特性阻抗。图22展示了ADRF5717在12密耳厚Rogers RO4003介电材料射频基板上的推荐CPWG射频电路设计。对于2.2密耳成品铜厚，建议采用线宽16密耳、间距6密耳的射频走线。

图23展示了ADRF5717的射频走线、电源和控制信号的布线情况。接地层通过尽可能多的过孔连接，以实现最佳射频和热性能。该器件主要的散热路径在底部。

图24展示了ADRF5717从ATTIN和ATTOUT引脚到参考堆叠上50Ω CPWG的推荐布局。PCB焊盘按1:1比例绘制为器件焊盘。接地焊盘按阻焊层定义绘制，信号焊盘按焊盘限定绘制。从PCB焊盘引出的射频走线延伸2密耳，呈90° 锥形。焊膏掩模也经过设计，以匹配焊盘而无开口缩减。焊膏掩模被划分为多个开口。