ADRF5473硅数字衰减器，0.5dB LSB，6位，100MHz至40GHz技术手册

概述
ADRF5473是一款具有31.5 dB衰减范围和0.5 dB步长的6位数字衰减器，采用连接在砷化镓(GaAs)载波衬底上的硅工艺制造。该衬底集成了芯片和引线装配焊盘，且器件底部经过金属化处理并接地。

该器件的工作频率范围为100 MHz至40 GHz，提供优于3.2 dB的插入损耗和出色的衰减精度。在所有状态下，ADRF5473具有26 dBm（平均值）和31 dBm（峰值）的RF输入功率处理能力。

ADRF5473需要+3.3 V和−3.3 V双电源电压供电。该器件具有串行外设接口(SPI)、并行模式控制和互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5473设计用于匹配50 Ω的特征阻抗。

请注意，提及数据手册中多功能焊盘的单个功能时，只会提及与焊盘名称相关的部分。有关多功能焊盘的完整焊盘名称，请参见此节。
数据表：*附件：ADRF5473硅数字衰减器，0.5dB LSB，6位，100MHz至40GHz技术手册.pdf

应用

• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施：5G毫米波
• 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)

特性

• 超宽带频率范围：100 MHz 至 40 GHz
• 衰减范围：31.5 dB，步长为 0.5 dB
• 用于线焊和带状键合的焊盘
• 低插入损耗
  • 1.7 dB 典型值，最高 18 GHz
  • 2.2 dB 典型值，最高 26 GHz
  • 3.2 dB 典型值，最高 40 GHz
• 衰减精度
• ±（0.2 + 2.0% 的衰减状态）通常高达 26 GHz
• ±(0.13 + 1.5% 的衰减状态）通常高达 35 GHz
• ±(0.30 + 1.5% 的衰减状态）通常高达 40 GHz
• 典型步进误差
• 0.12 dB 典型值，最高 26 GHz
• 0.30 dB 典型值，最高 35 GHz
• 0.60 dB 典型值，最高 40 GHz
• 高输入线性度
  • P0.1dB 插入损耗状态：31 dBm（典型值）
  • P0.1dB 其他衰减状态：28 dBm（典型值）
  • IP3：50 dBm（典型值）
• 高 RF 功率处理能力
• 26 dBm 稳态平均值
• 31 dBm 稳态峰值
• 在相对相位中实现紧密分布
• 无低频杂散信号
• SPI 和并行模式控制，兼容 CMOS/LVTTL
• RF 幅度建立时间（0.1 dB 最终 RF 输出）：250 ns
• 18 焊盘、3.171 毫米 x 1.616 毫米、载体上裸片 [CHIP]

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息

芯片组装

ADRF5473的组装图如图28所示。

ADRF5473经设计，采用3 mil×0.5 mil的金带线，典型环路高度为3 mil，可实现最佳的射频输入和输出阻抗匹配。键合图如图29和图30所示。此外，使用具有等效电感的多根线键合也能产生相似的性能。对于从器件引出的射频布线，可使用共面波导或微带传输线。传输线焊盘无需进行阻抗匹配，因为器件已进行内部设计，可与推荐的带线相匹配。建议从射频传输线到器件边缘保持3 mil的间距，以实现最佳性能。

直流焊盘可使用标准的1 mil直径金线进行连接，应使线长尽可能短，以最小化寄生电感。如果直流焊盘足够大，能够容纳带线键合，则优先采用带线键合。
所有键合必须在150°C的标称平台温度下进行热超声键合，并且必须施加足够的超声能量，以实现可靠的键合。
器件背面有金属化层，接地连接可通过直接连接器件来实现。在这种情况下，将射频接地层与导电环氧树脂连接，连接接地焊盘虽非必需，但仍建议进行，以确保接地牢固。

搬运、安装和环氧芯片粘贴

器件在运输时置于防静电密封袋中，所有裸芯片应存放在干燥氮气环境中。
对于手动拾取，通常使用镊子拾取砷化镓（GaAs）器件。然而，对于芯片载体器件，建议使用真空工具，以免对器件衬底造成损坏。应在清洁环境中操作这些器件。
粘贴芯片时，应在安装表面涂抹少量环氧树脂，以便在芯片放置到位后，在其周边形成薄的环氧树脂溢边。在制造商指定的固化温度下固化环氧树脂。设置芯片粘贴工艺和环氧树脂固化温度，以降低组装后的累积应力。
由于芯片通过焊点粘贴，用户必须遵循其模块组件的热机械设计最佳实践。衬底材料的热膨胀系数必须与砷化镓（GaAs）和硅（Si）芯片的热膨胀系数相匹配。请勿让衬底发生翘曲或其他机械变形。