ADRF5740 2dB LSB、4 位硅数字衰减器（100MHz至60GHz）技术手册

概述
ADRF5740是一款硅、4位数字衰减器，以2 dB步长提供22 dB的衰减控制范围。

ADRF5740的工作频率范围为10 MHz至60 GHz，在55 GHz下提供小于3.3 dB的插入损耗和衰减精度（±0.2 + 7.0%的衰减状态）。在所有状态下，ADRF5740的ATTIN端口具有24 dBm（平均值）和24 dBm（峰值）的RF输入功率处理能力。

ADRF5740需要+3.3 V和−3.3 V双电源电压供电。ADRF5740具有并行模式控制、CMOS和低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5740 RF端口设计用于匹配50 Ω的特征阻抗。ADRF5740采用符合RoHS标准的16引脚、2.5 mm × 2.5 mm、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。
数据表：*附件：ADRF5740 2dB LSB、4 位硅数字衰减器（100MHz至60GHz）技术手册.pdf

应用

• 工业扫描仪
• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施：5G 毫米波
• 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
  特性
• 超宽带频率范围：10 MHz至60 GHz
• 衰减范围：2 dB步进至22 dB
• 低插入损耗
  • 1.4 dB，最高为20 GHz
  • 2.2 dB，最高为44 GHz
  • 3.3 dB，最高为55 GHz
• 衰减精度
• ±(0.1 + 1.0%)的状态，最高20 GHz
• ±(0.2 + 3.0%)的状态，最高44 GHz
• ±(0.2 + 7.0%)的状态，最高55 GHz
• 典型步进误差
• ± 0.30 dB，最高为20 GHz
• ± 0.50 dB，最高为44 GHz
• ± 0.60 dB，最高为55 GHz
• 高输入线性度
  • P0.1dB：25.5 dBm（典型值）
  • IP3：45 dBm（典型值）
• 高RF输入功率处理：24 dBm平均值，24 dBm峰值
• 相对相位中的紧凑分布
• 无低频杂散信号
• 并行模式控制，CMOS和LVTTL兼容
• RF幅度建立时间（0.1 dB最终RF输出）：175 ns
• 符合RoHS标准的16引脚、2.5 mm × 2.5 mm、LGA封装

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

应用信息

布局注意事项

本数据手册中的所有测量均在ADRF5740 - EVALZ - 185评估板上进行。ADRF5740 - EVALZ - 185和ADRF5740 - EVALZ - 292的设计为ADRF5740应用的布局提供了建议。

电路板布局

ADRF5740 - EVALZ - 185和ADRF5740 - EVALZ - 292是四层评估板。外层铜（Cu）层为0.5盎司（0.7密耳），镀覆至1.5盎司（2.2密耳），中间由电介质材料隔开。图25展示了ADRF5740 - EVALZ - 185和ADRF5740 - EVALZ - 292的堆叠结构。

所有射频和直流走线都布置在顶层铜层，而内层和底层为接地层，为射频传输线提供稳固的接地。顶层电介质材料为12密耳的Rogers RO4003，可提供最佳的高频性能。中间和底层电介质材料提供机械强度。电路板总厚度为62密耳，可安装1.85 mm的射频连接器。

射频与数字控制

射频传输线采用共面波导（CPWG）模型设计，线宽为16密耳，与接地层间距为6密耳，特性阻抗为50Ω。为实现最佳射频和热接地效果，应围绕传输线及器件外露焊盘布置尽可能多的过孔。
射频输入和输出端口（ATTIN和ATTOUT）通过50Ω传输线连接到1.85 mm射频连接器。在VDD和VSS电源引线上，接有一个100 pF的旁路电容来滤除高频噪声。图26展示了ADRF5740的简化应用电路。