ADH939S航空航天0.1GHz到40GHz、GaAs、MMIC、5位1.0 dB LSB、数字衰减器技术手册

概述
ADH939S 是一款宽带 5 位 GaAs IC 数字衰减器，以裸片形式提供，附带 K 级元件评估。 覆盖 0.1 到 40.0 GHz，在 40.0 GHz 时插入损耗小于 6.4 dB 典型值。衰减器位值为 1.0 (LSB)、1、2、4、8，总衰减为 31 dB。IIP3 为 +43 dBm 时，衰减精度非常好，典型步进误差小于 ±1.0 dB。

ADH939S 需要双电源电压 Vdd = +5 V 和 Vss = -5V,，以及五个控制电压输入，在 +5V 和 0V 之间切换以选择每个衰减状态。
数据表：*附件：ADH939S航空航天0.1GHz到40GHz、GaAs、MMIC、5位1.0 dB LSB、数字衰减器技术手册.pdf

应用

• 军用&航空航天
• 收发器
• 测试设备&传感器

特性

• 1.0 dB LSB 步进为 31 dB
• 每位单一正向控制线
• 插入损耗：40 GHz 时为 6.4 dB（典型值）
• 出色衰减精度
• ±1.0 dB 典型位错误
• 高输入 IP3：+43 dBm
• 功率处理能力：+25 dBm
• 双电源供电：± 5 V

焊盘描述

模具轮廓

应用说明

图1展示了组装图。芯片应直接静电连接或使用导电环氧树脂连接到接地层。建议使用在0.127毫米（5密耳）厚的氧化铝薄膜衬底上的50Ω微带传输线来传输芯片的射频信号（图2）。如果必须使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜衬底，则芯片应抬高0.15毫米（6密耳），以便芯片的表面与衬底的表面共面。应使用0.102毫米（4密耳）厚的芯片与0.150毫米（6密耳）厚的钼散热片（钼片）连接，然后将其连接到接地层（图3）。微带传输线应尽可能靠近芯片，以尽量缩短键合线长度。典型的芯片与衬底间距为0.076毫米至0.152毫米（3至6密耳）。