ADH941S航空航天0.1GHz到30 GHz、GaAs、MMIC、5位0.5 dB LSB、数字衰减器技术手册

概述
ADH941S 是一款宽带 5 位 GaAs IC 数字衰减器，以裸片形式提供，附带 K 级元件评估。 覆盖 0.1 到 30.0 GHz，在 30.0 GHz 时插入损耗小于 4.4 dB 典型值。衰减器位值为 0.5 (LSB)、1、2、4、8，总衰减为 15.5 dB。IIP3 为 +45 dBm 时，衰减精度非常好，典型步进误差小于 ±0.5 dB。

ADH941S 需要双电源电压 Vdd = +5 V 和 Vss = -5V，以及五个控制电压输入，在 +5V 和 0V 之间切换以选择每个衰减状态。
数据表：*附件：ADH941S航空航天0.1GHz到30 GHz、GaAs、MMIC、5位0.5 dB LSB、数字衰减器技术手册.pdf

应用

• 军用&航空航天
• 收发器
• 测试设备 & 传感器

特性

• 0.5 dB LSB 步进为 15.5 dB
• 每位单一正向控制线
• 插入损耗：30 GHz 时为 4.4 dB（典型值）
• 出色衰减精度
• ±0.5 dB 典型位错误
• 高输入 IP3：+45 dBm
• 功率处理能力：+27 dBm
• 双电源供电：± 5 V

模具图片

焊盘描述

应用说明

图1为组装示意图。芯片应通过共晶方式或导电环氧树脂直接连接至接地层。推荐使用在0.127毫米（5密耳）厚氧化铝薄膜衬底上的50Ω微带传输线，用于芯片射频信号的输入输出（见图2）。若必须使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜衬底，芯片需抬高0.15毫米（6密耳），使芯片表面与衬底表面共面。一种实现方式是将0.102毫米（4密耳）厚的芯片连接到0.150毫米（6密耳）厚的钼散热片（钼片）上，再将其连接至接地层（见图3）。微带传输线应尽量靠近芯片，以缩短键合线长度。芯片与衬底的典型间距为0.076毫米至0.152毫米（3至6密耳）。